腐蚀工艺相关论文
本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较......
在半导体生产管理中,成品率管理至关重要。生产中的其它管理均围绕成品率而运作。成品率—性能决定了产品的性能—价格比,决定了产......
为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅，提出添加非晶Ｓｉ的新方法，并探索了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ及Ｃｏ／Ｓｉ（×７）／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应的两种途径．实验采用四探针、ＸＲＤ、ＲＢＳ等多种方......
PIN光探测器是光纤通信系统和网络中的关键器件。量子效率和响应带宽是衡量光探测器性能的重要指标,并且这两个参数都与器件的吸收......
一、引言 硅外延工艺曾对器件工艺产生了变革性的影响。近年来,随着器件的发展,对硅外延材料提出了更高的要求。在采用低位错单晶......
描述了单晶硅太阳能电池片的酸腐蚀和碱腐蚀2种不同制绒工艺的区别,以及进行组件封装后的功率差异,通过实验和量产数据表明,同样转......
随着科技的进步,电子设备逐步趋于小型化,而制约电子设备小型化的重要因素就是电容器的体积。而目前,铝箔的腐蚀扩面效果是制约小......
高压高比容铝电解电容器是实现电子线路小型化的关键，其电容量的提高主要采用铝箔腐蚀扩面的方法来实现，但由于铝箔腐蚀扩面时工艺复......
折射率是一个与温度、浓度等密切相关的物理参数,在生物、化学、医学、食品安全等领域中,通常需要精度高、稳定性高、耐腐蚀、响应......
随着电子工业小型化、集成化的发展,高压高比容铝电解电容器将成为未来发展的趋势。目前主要采用增大阳极铝箔的真实表面积方法来......
摘 要：随着电子工业的快速发展，铝电解电容器的应用越来越广泛，作为电子信息产业基础元器件类产品的电子专用材料，其性能直接影响到基......
报道了n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备及其发光特性.采用金属有机气相外延技术在Mg掺杂p型GaN衬底上外延n型ZnO薄膜以形成p-......
该研制工作的任务来源是清远市2008年度科技计划项目《高比容、高强度铝电解电容器用铝箔腐蚀新工艺》（文号：清科[2008]50）。项目开发......
提出了公路桥涵水中混凝土结构防腐设计方案,对防腐施工工艺及具体操作进行分析,探讨了涂层的管理和维护措施,以有效保障公路、桥......
本文主要介绍通过引进离子色谱仪（IC）、电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP），应用于低压电极箔腐蚀流程作业中原材料微量元素的定量分析、......
通过对原有的H2SO4-HCI腐蚀体系的深入研究，提出了新的发孔与扩孔工艺条件。适当地提高发孔液的浓度和温度．能提高初始蚀孔密度及分......
采用实验室模拟快车速铝电解电容器阳极箔腐蚀工艺,在H2SO4-HCl腐蚀体系中对电子铝箔在不同条件下进行发孔腐蚀试验并进行化成,研......
本文主要介绍了Intel式Flash memory单元结构的叠栅自对准腐蚀工艺和有关的叠栅腐蚀原理,分析了Flash叠栅自对准腐蚀对Flash性能的......
采用对比实验，研究了腐蚀工艺对低压电子铝箔耐蚀性的影响。当腐蚀溶液中w（HCl）为15％-25％、w（H2SO4）为10％-20％，温度为85℃，电流密度为0．40A／cm^2......
高压阳极电子铝箔是铝箔的高端产品,它被广泛应用到电子元器件铝电解电容器中,目前随着电子产品朝着体积小型化、集成化的方向发展......
我公司生产的卡尺和千分尺在进行镀铬表面处理后，需要采用电解腐蚀照相工艺来制备刻线。电镀铬后的照相腐蚀工艺流程为：去油→清洗→......
采用正交法和单因素实验法，研究了发孔温度、电流密度、时间、Al3＋浓度，扩孔温度、电流密度、时间对超高压铝电解电容器用阳极箔比容......
表面复杂纹理在各行各业应用广泛。然而因其几何结构复杂,难以精确复现。运用反求工程理论,发挥电化学腐蚀工艺的特点,便捷、高效......
采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结......
为改善阳极铝箔腐蚀形貌，增大腐蚀比表面积，减少铝箔的质量损失，采用在直流电作用下，外加垂直于铝箔的石墨板与原有石墨板共同构成腐蚀......
铝电解电容器用阳极箔可称为腐蚀化成铝箔,属于元器件类产品电子材料,随着现阶段我国各项技术的快速发展,电子产品开始朝着高性能......
