隧穿场效应晶体管(TFET)相关论文
介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov (L......
对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应......
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随着MOSFET尺寸的不断缩小,器件的功耗问题和可靠性问题成为制约集成电路发展的重要因素。为了降低集成电路的功耗,隧穿场效应晶体......
随着集成电路中器件密度的增加,传统平面MOS晶体管(MOSFET)的功耗问题变得更加突出。为了开发低功耗的器件,国际上进行了大量的研......
基于传统硅平面工艺的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的小型化已经接近其物理极限。在众多可能的替代者中,隧穿晶体管和......
半导体器件模拟工具通过数值计算,让我们以虚拟的方式考察半导体器件内部的工作和物理过程,从而帮助我们分析和理解器件的工作原理......
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区)......
