读出放大器相关论文
本文描述了双端口SRAM单元的设计.在介绍通用SRAM结构和基本单元的基础上,介绍了双端口SRAM单元,内容涉及预充电电路、读出放大器......
电荷耦合器件(CCD)和电荷注入器件(CID)一类的固体成象器已广泛地用于标准的家用电视系统(525条线和625条线)。许多应用都要求部......
为了测试芯片的纠错电路在提高贮存器芯片可靠性方面的能力,我们已在加速条件下,对具有高缺陷的16M贮存器芯片进行了应力试验.确定......
提出了一种ＣＭＯＳＳＲＡＭ读出灵敏放大器的新结构。该放大器同传统的ＰＭＯＳ电流镜放大器和ＰＭＯＳ交叉耦合放大器相比，具有速度快、增益大、功耗小等特点，可广泛......
很多电子设备的电源电路使用了半导体器件。笔记本电脑、移动电话、数码相机、便携视听等电池驱动产品日益增加,相对于各种电池的......
1.前言本文讨论了频率范围为10Hz～1MHz,绝对不确定度在20kHz 时为37.5×10~(-6)的新型通用 IEEE-488总线可编程电压标准的技术状况......
日本东芝公司最近研制成功存取时间为25ns的256Kb模拟SRAM.这种型号为TC51832P-85的产品系列包括由一个晶体管和一个电容器组成的......
作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价......
近年来,金属——氧化物——半导体集成电路有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单、集成度高、功耗小、温度性能好等优点。尽管......
一、引言随着计算技术和集成电路技术的发展,要求提供一种存取周期性短,读写速度快,使用方便灵活的存贮体能与运算部件的工作相匹......
本文介绍采用钼—多晶硅工艺的256K动态RAM。发展了包括电子束直接描绘和干法腐蚀工艺的1微米工艺技术。此外,利用作在同一片子上......
开发出一种七次光刻 V-MOS 工艺,用来制造有自对准V-MOS 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,......
双极存储器件首次打入了现在为动态 MOS 存储器所占领的主存系统领域。这个双极存储器(型号为93481)是一个4096位随机存取存储器,......
MK4096P是容量4096×1单元N沟道金属栅MOS随机存储器。设计的主要目的是为了在一个芯片上能实现使用方便和经济的优点。为达到使......
AMS7001是一种新颖而使用方便的MOS随机存储器(RAM)。这种存储器采用MOS器件与电荷泵器件结合在一起建立和保持所存储的状态,所以......
一、引言随着计算技术和集成电路技术的发展,要求提供一种存取周期性短,读写速度快,使用方便灵活的存貯体能与运算部件的工作相匹......
现已制成一台 PERM 机用的全晶体管化的磁心存贮器,其容量为2048个字,每字是51个二进位,存取时间为8微秒。它有一些有功于经济性和......
二度半二线大容量磁心存储器从功能上为计算机存储体系提供了很大的优点。设计这样一种存储器时存在许多困难,本文的目的就是解决......
前言由于MOS器件比双极器件包含较少的制造步骤,因而用它们来做成廉价的大容量存储器是很实际的[1]。大规模集成MOS存储器(表1)的......
动态绝缘栅场效应晶体管(IGFET)双稳电荷读出放大器的分析指出,最佳的自锁(Iatching)波形是一个初始阶跃电平后面接着斜率逐渐增加......
本文介绍了一种动态MOS RAM测试方法,并且详细地论述了开关电容(或单管)MOS RAM的测试问题。测试程序是从对制造存储器电路的工艺......
一九八○年六月由四机部主持召开的1424所28项科研成果鉴定会,MM20型4096×1位单管单元动态随机存储器是获得定型并通过部级鉴定的......
32K字8位(简称“328”)磁芯存贮器模块,可作为中大型数字电子计算机主贮存器的基本组成单元,可按字节扩充至72位(64数码,8位海明......
众所周知,自七十年代初著名的1103MOS存储器问世以来,MOS存储器取得了迅速的发展,国外已经大量地采用MOS RAM作为计算机的主存。......
随着计算技术的迅速发展,存储部件在整机硬件中所占的比重愈来愈大。目前大型计算机的主存储器容量大多在13万字以上。有人设想,用......
字选择存贮器中数位线和与之相邻的读出线之间的耦合是存贮器设计者十分关心的一个现象。在很多情况下,如果不设法减少数位线和读......
本文介绍应用双层多晶硅和NMOS/CMOS工艺设计具有典型存取时间为80ns的全静态RAM。该存储器工作和保持方式中功耗分别为300mw和75m......
叠栅注入MOS晶体管,在读、编码和清除时,利用叠在浮动栅上的控制栅来选择单元。编码是通过由沟道向浮动栅注入热电子来完成的,这就......
本文所述的存储器采用了2度半3线制方式(2(1/2)D-3W),从而实现大容量和高速度。它是作为大型计算机的主存储器而设计的。本文还将......
由于MOS集成电路有高集成度、低功耗和快速的特点,近年来有越来越多的计算机用MOS RAM作主存储器。目前的生产水平已达到每个芯片......
1 前言 PROM市场追寻扩大的一条道路,正在广泛的领域里使用。FAMOS型以POS、微型计算机等低速的控制器为中心,双极型在微程序、高......
(二)半导体存储器芯片微型计算机使用的半导体存储器芯片的分类见图1。对可编程只读存储器,使用者可以一次或多次地把内容写入到......
本文描述一个2048单元读/写存储器芯片。它采用改进的N沟道MOSFET工艺的六管存储单元。从价格/性能比和功率-延迟乘积着眼,为发挥......
采用单管和一个存储电容组成的MOS动态存储器的单元面积可以在2平方密耳以下。有用的读出信号非常小,通常采用平衡读出。在确定总......
MOS动态存贮器从1971年的1k位DRAM问世以来,一方面连续保持3年增长4倍的规律,另一方面经常不断促进着当时最高水平的批量生产技术......
当前,各国在研制进攻和防御性武器的同时,对通过欺骗与伪装来防止敌人察觉的手段亦非常重视。掩饰漆就是当今为适应现代化战争的......
据日本《JEE》杂心1983年3月号报道,松下、日立和东芝公司宣布制成16兆位DRAM样机,在一块芯片上可集成约3400万只晶体管。 松下公......
据《EDN》1983年第25期报道:Mostek公司采用了一项新的处理技术,这项技术可提供存取时间低到100毫微秒。M K4856 256K动态RAM给出......
日立制作所成功地研制了具有高速存取功能的静态列式256k CMOS动态RAM,从1985年4月起推出试制原样;这种存贮器以静态列方式工作,如......
我们研制了一种256k字×4位结构体1兆位CMOS静态存贮器，它的制造是采用0．8μm双层多晶、双层铝、双阱CMOS工艺技术。其单元尺寸小：5．2......
