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InGaAs PIN光电探测器在空间遥感、卫星通讯等方面有着广泛的应用。利用358K恒温加速老化实验研究探测器长时间稳定工作时输出电信......
精密测量技术作为当今尖端科技的核心内容,在诸多领域内有着重要的应用价值。随着卫星导航、大地测量、航空航天和航海等技术的飞......
相位处理在时频测量领域中具有最高的测量分辨率,但传统的相位比对技术只能对频率标称值相同或成简单倍数关系的信号进行比对。随......
IGBT作为常用的半导体功率器件,其良好的开关特性与封装外形使其在高压大功率电源中得到了最广泛的应用。但IGBT的另一个特性“线......
提出了基于光强检测方式的空芯光纤表面等离子体共振(SPR)传感器。采用波长为532nm的激光作为光源,对所设计传感器的性能进行了研......
4.6动态试验rn4.6.1动态性能试验[1～9]rn动态性能试验是用于研究硫化橡胶动态粘弹性能的试验,原理上是给予振动的刺激,读取弹性应答......
基于0.18-μm 1.8VCMOS标准工艺,设计了一个高精度开关电流存储单元。通过设置存储晶体管工作于线性区,并结合虚拟开关等技术,降低......
主设备保护通常采用差动原理作为主保护原理,随着数字保护在电力系统的广泛应用,存在电流互感器(TA)暂态饱和易引起差动保护误动的......
阐述了CT的工作原理，分析了CT饱和时铁芯磁通的特征，提出了基于动态虚拟磁通分析的CT饱和识别方案。该方案通过二次电流与CT铁芯磁通......
设计了一个基于工作在线性区的MOSFET的新型宽带混频器．此混频器以标准CMOS工艺和简单的电路实现了现代无线通讯系统高线性度、低压......
本文对一种新型增强型4H-SiC埋沟MOSFET结构的工作机理进行了研究.通过对不同偏压下电荷分布和电势分布的分析,分别总结了线性区和......
本文总结了功率因素校正电路加旁路二极管作用的几种不同解释:减少主二极管的浪涌电流;提高系统抗雷击的能力;减少开机瞬间系统的......
本文讨论输入信号变化引起的差动放大器的传输特性,差动放大器不但工作小信号在线性区,而且还可能工作在非线性区,或大信号开关状......
研究了一种构造增广比例导引律的方法．采用具有较强滤波功能的跟踪-微分器来估计视线角速度和视线角加速度，并将信号延迟环节和指令......
本文对模拟集成电路的主要组成单元差动放大器和模拟乘法器提出-种新的分析方法和简明的数学模型.......
电流瞬时值差动母线保护易受电流互感器 (CT)饱和的影响而误动作。该文提出一种利用小波变换分析电流互感器二次电流波形的方法 ,......
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性.用低能量(550 eV)的Ar+轰击n-MOSFET芯片的......
We propose a two-stage method for detecting circular objects in this paper. In the first stage, curves are divided as li......
设计了一种用于零中频GPS接收机的低闪烁噪声混频器。通过对吉尔伯特（‰）混频器噪声机制的分析，以及对MOS管偏置在不同区域时噪声性能......
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分......
本文提出了一种用“二次增益控制”电路技术来改善圆锥扫描体制调制特性的方案,实践证明是可行的。这种方法利用了次镜扫描特点,......
本文论述了测量光电器件非线性的意义,分析了采用直流——交流法的优越性,设计了实验装置,其中特别对减光器的方案进行了实验研究......
该报告考察了水中14种金属元素的21种原子吸收光谱测定方法。对每种方法的最佳线性区间、准确度、灵敏度、检测限进行了实验研究,......
在画史上，不同风格流派的兴衰、演替，构成了绘画史的主脉络。对风格史的研究，古今论者甚乡，他们从理论的不同层面、不同角度解释着艺术......
设计人员都用直流电子负载来测试电源,如太阳能阵列或电池,但商用直流电子负载很昂贵。你只要将功率MOSFET在其线性区内使用,就可......
本文探讨了无人机电池充放电管理系统的功率MOSFET在大电流关断过程中发生失效损坏的原因,分别从功率MOSFET在大电流线性区工作时......
本文证明了二阶压控电压源LPF中压控电压源的放大倍数A（up）＜3，给出了通带截止频率f<sub>p</sub>人与特征频率f<sub>0</sub>的一般关系......
<正>一、前言厨房秤,顾名思义,是用于烹饪时精确计量使用食物原料的量的一种工具。按传感器工作原理分类为:电子厨房秤与机械厨房......
考虑探测臂宽度,根据像点扫描的不同情况,分析了相应的四元正交探测器阵输出信号形式和鉴相后的偏差量的变化,讨论了线性检测区域......
本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义,详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温......
分析了SPICEⅡ程序模拟耗尽型MOS器件所遇到的限制及其原因,用线性区阈电压和饱和区阈电压描述耗尽型器件线性区和饱和区特性,讨论......
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