场板结构相关论文
本文使用TCAD工具对AlGaN/GaN HEMT微波功率器件进行电学仿真，在其基本结构上分别引入栅场板、一重源场板、双重源场板结构，并优化了......
氧化镓（Ga2O3）具有带隙大（约4.8 eV）、高击穿场强（约8 MV/cm）的优点,同时Ga2O3相对于碳化硅（Si C）和氮化镓（Ga N）具有更高的巴利加优值,使Ga2......
为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器......
本文首次提出了基于二维泊松方程的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型.在该模型基础上,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长......
本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构......
为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基......
MOSFET作为半导体集成电路中不可或缺的元器件,为集成电路的快速发展做出了极大的贡献。但随着集成电路特征尺寸到达纳米级,MOSFET......
研制成功具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖......
<正>南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,......
由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,......
本文对日益广泛采用的各种平面终端技术作用原理、设计方法及目前的发展水平作了较系统的介绍,并简要地比较了它们的优缺点、适用......
提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型 .在该模型基础上 ,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对......
本文从阐述场板对提高pn结雪崩击穿电压的原理出发,引出了一种非均匀氧化层场板技术,介绍了这种结构的工艺特点及场板设计最佳化选......
III族氮化物半导体因出色的材料特性以及在高温、高频、大功率应用的潜力已成为目前半导体领域的研究热点。得益于材料外延技术的......
相比于第一,第二代半导体,GaN半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度大、导热性能好等优点。AlGaN/GaN HEMT作为GaN......
宽禁带半导体材料GaN不仅具有临界击穿电场高、电子饱和速率大等特点，而且AlGaN/GaN异质结可形成高电子迁移率、高浓度的二维电子气......
AlGaN/GaN HEMT器件被认为是1-50GHz频率范围内理想的微波功率器件,而第三代移动通信(3G)时代的到来,对微波功率器件的性能提出了......
场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应，降低尖峰电场峰值，从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工......
