反向恢复时间相关论文
近些年来,电子电力技术发展推动了变频电路、汽车电子、开关电源的应用市场不断扩大。而在这些应用中,功率二极管作为最常用的基础......
以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽带隙半导体材料正在逐渐兴起。与传统的半导体材料相比,GaN具有良好的化学稳定性,高击穿电压,低导通......
电力电子器件,又称为功率半导体器件,是主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件,广泛应用于各种家用电器、工......
快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管(SRD)和肖特基二极管(SBD)是极有发展前途的电力、电子半导体器件。它们具有开关特性好、反向......
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外......
用电子辐照改善硅功率器件的性能是一项极有前途的新技术。其所依据的基本原理是:电子射线可使硅晶体中产生一些缺陷,这些缺陷构成......
本文在简要介绍玻璃钝化封装二极管(以下简称玻封二极管)可靠性指标的基础上,着重论述了决定该器件的电学性能、结构形式、封装材......
简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理,根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析,掺Au工艺对快速恢复功率二极......
介绍了采用高能12 MeV电子辐照效应来控制快速二极管少子寿命的方法,探讨了高能电子辐照对器件少子寿命τ、反向恢复时间(t)(n)和......
本文介绍了各类寿命控制技术,重点阐述了铂、金掺杂的特点。通过对试验结果的讨论,分析了扩铂、扩金方法对反向恢复时间t_（rr）、正向......
本文针对PIN型整流管模型，全面优化了整流管设计制造过程，成功研制了世界上先进的ZP6000A/8500V特高压整流管。......
肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是上世纪问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件.其反向恢复时......
利用质子辐照感生的空位缺陷对铂原子的汲取作用,获得了局域寿命控制,辅以能量为4MeV电子辐照整体寿命控制技术,在具有低阳极发射......
汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态......
描述了用直拉单晶（CZ）硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命，以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂......
Vishay Intertechnology推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩整流器BYG23T。该器件将1．98mm的低外形、1300V的极高反......
随着电力电子技术的微型化、智能化、节能化发展,影响其关键特性的核心部件功率半导体的重要性得到了重新认识,市场需求量也越来越......
应用于电力电子领域的高压二极管一般设计成p+n-n+结构。当器件处于正向偏置状态时,p+n-n+二极管的低中间掺杂区域通常要被驱动到......
通过长期的工作实践,阐述了适当条件下的金扩散对缩短反向恢复时间,提高二极管2CK28开关速度,满足了反向恢复时间,改善了二极管的......
通过对二极管反向恢复过程特性的研究 ,给出了反向恢复时间的测定方法 ,运用高性能等精度计数器实现了快速准确的测量 ,提高了测量......
通过对二极管的反向恢复过程及相关应用的研究,指出二极管反向恢复时间测试的必要性,综合比较了三种现有的反向恢复时间的测试方法......
采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片，采取铂扩散的方法引入复合中心，从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间．通过大......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）已推出四款30V、N沟道PowerTrench？MOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性，能满足今日最具......
LLC谐振变换器的最大优点是利用自身的谐振特性同时实现主开关管与次级整流二极管的软开关。从变换器整流二极管反向恢复时间出发,......
基于现代电力电子技术的发展要求,与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管应具有低的正向导通损耗与超快超软的恢复特......
大功率快恢复二极管(FRD)广泛应用于电力电子领域,作为续流二极管与三端功率器件并联使用,是现代电力电子技术中的关键器件。随着......
<正>新一代宽禁带半导体材料由于具有优异的潜在材料性能,在功率器件中得到了广泛应用,十几年来一直是电力电子领域的研发热点。其......
掺金和掺铂技术被广泛地应用于制造快恢复二极管中，这两种技术各具优缺点。本实验提出金铂双掺杂技术，与掺金和掺铂技术相比较，综合考......
叙述了不同结构二极管对电子辐照产生的效应和不同辐照方法产生的结果。据此可考虑选择相应的加工工艺。......
自二十世纪五十年代以来，硅二极管就开始应用于电力电子系统中，但二极管在现代电力电子学中的作用总是被低估，尤其在逆变电路和变频电......
论文从快恢复二极管的理论原理开始阐述，研究和探讨了二极管反向恢复时间、正向压降、反向击穿电压等各参数之间的关系和设计思路，对......
超快恢复二极管开关特性好,广泛应用于电力电子领域。提高硅PIN结构二极管开关速度的方法是在硅中引入复合中心,减小器件少子寿命......
传统的快恢复二极管,为了缩短反向恢复时间,通常采用电子辐照来减小基区的少子寿命,但电子辐照在降低器件的反向恢复时间的同时,也......
<正>快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频......
功率半导体器件分为开关器件和功率整流管。自上个世纪五十年代第一只晶闸管诞生,开关器件有了迅速的发展。尤其是功率MOSFET和IGB......
高压功率快恢复二极管(以下简称FRD)广泛地应用于电力电子电路中,作为续流二极管与三端功率器件并联使用,是现代电力电子技术中的......
半导体器件体积小、寿命长,如今得到了非常广泛的应用,它已成为现代电子技术的重要组成部分。利用PN结对正反向电流表现出的通断特......
本文对金属封装整流二极管的设计与制造过程进行了研究,金属封装整流二极管生产是一个复杂的过程,从氧化扩散、光刻、蒸发、表面等......
近年来，硅中氮的行为被广泛深入地研究。通常，在大规模集成电路工艺中氮气广泛地用作保护气和载气。人们知道，氮在硅中能够抑制微缺陷......
随着现代电力电子技术的发展,各种新型器件被开发并大量应用,快恢复二极管就是其中一类关键的器件。介绍了快恢复二极管中采用的各......
