高场应力相关论文
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个......
详细研究了Ｎ＾＋埋层－隧道氧化层－多晶硅电容和Ｐ型衬底－隧道氧化层－多晶硅电容在高场应力下的高频Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性的漂移，以及两种电容在隧道氧化层......
AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温大功率方面有非常好的应用前景。但是,AlGaN/GaN HEMT的工艺技术还不成熟,干法刻......
GaN作为一种新兴材料，在诸多的方面具有极大的应用价值，主要特点表现在宽禁带、高跨导、高饱和电流、高击穿电压等诸多的方面；在应用......
GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点,在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜力。其中,异......
