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[学位论文] 作者：苏少坚,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2012
Ge1-xSnx合金的晶格常数和禁带宽度分别在5.6579-6.4892A和0-0.66eV(直接带为0-0.8eV)连续可调，并且当x大于～7％时将成为直接带隙半导体，因此有望应用于硅光子学和红外光电子学等...
[期刊论文] 作者：苏少坚,,
来源：新教育时代电子杂志（教师版） 年份：2015
本文对华侨大学电子科学与技术专业开设的《太阳能电池》课程的教学内容和教学方法进行探讨.除课堂教学外,增加PC1D模拟和太阳能电池应用实验,提高学生的理论和实验水平,拓展...
[会议论文] 作者：胡炜玄,成步文,苏少坚,王启明,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
硅同质外延在纯硅器件制备以及硅基异质结构材料生长中都有重要应用。发现生长温度对Si外延膜的表面形貌影响很大，因此深入理解其生长机理和表面形成的过程有重要意义。利用超高真空化学气相淀积方法，采用高纯Si2H6为气源，在Si(100)衬底上同质外延生长Si薄膜，生长温......
[期刊论文] 作者：徐展, 庄凤江, 苏少坚, 陈传文, 王可,,
来源：磁性材料及器件 年份：2018
用磁控溅射法制备了一系列Co2FeAl合金薄膜,并进行了退火处理。利用振动样品磁强计（VSM）和X射线衍射（XRD）对样品进行表征,研究了溅射功率和退火温度对Co2FeAl薄膜磁与结构特性的...
Formation of rippled surface morphology during Si/Si(100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapou
[期刊论文] 作者：胡炜玄,成步文,薛春来,苏少坚,王启明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The Si epitaxial films are grown on Si (100) substrates using pure Si 2 H 6 as a gas source using ultrahigh vacuum chemical vapour deposition technology.The val...
[期刊论文] 作者：董硕,苏少坚,庄凤江,周丽春,金福江,王可,
来源：信息记录材料 年份：2018
采用磁控溅射法制备了非晶Co2MnSi（CMS）薄膜,分别利用振动样品磁强计（VSM）和X射线粉末衍射仪（XRD）对薄膜的磁及结构特性进行了表征,研究了溅射功率对CMS薄膜面内磁特性及结构特性的......
[会议论文] 作者：成步文,张东亮,张旭,苏少坚,薛春来,王启明,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
硅材料是信息领域的重要支柱,然而它也有一定的局限性.首先,硅是间接带隙材料,其发光效率很低,不适合制作激光器等发光器件;其次,硅的载流子迁移率比较低,相同条件下的器件工...
[会议论文] 作者：苏少坚,汪巍,胡炜玄,张广泽,成步文,王启明,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
使用高质量的Ge薄膜作为缓冲层，在Si(001)衬底上分子束外延生长出了晶体质量很好的、没有发生Sn表面分凝的Gel-xSnx(x=0.025、0.052和0.078)合金薄膜。Sn含量比较低时(～2.5％)，Gel...
[会议论文] 作者：薛春来,苏少坚,汪巍,张广泽,成步文,王启明,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
采用MBE方法，在Si(001)衬寸底上，以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层，生长出了高质量的GeSn合金，并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器，相关性能指标为目前国际上最好。......
[期刊论文] 作者：苏少坚,成步文,薛春来,张东亮,张广泽,王启明,,
来源：物理学报 年份：2012
在Si(001)衬底上,以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层,先后生长Sn组分x分别为2.5%,5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge_(1-x)Sn_x合金薄膜.在Si(001)衬底上直接生长了x分别为0.005,0....
[期刊论文] 作者：苏少坚,张东亮,张广泽,薛春来,成步文,王启明,,
来源：物理学报 年份：2013
Ge1-xSnx是一种新型IV族合金材料,在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景.本文使用低温分子束外延(MBE)法,在Ge(001)衬底上生长高质量的Ge1-xSnx合金,组分x分别为1.5...
[期刊论文] 作者：黄亚,徐展,邱于珍,陈传文,庄凤江,苏少坚,王可,,
来源：磁性材料及器件 年份：2016
以不同功率溅射制备了CoFeB合金薄膜样品并在高真空下退火处理。发现低功率生长的薄膜始终具有磁各向同性，而高功率生长的薄膜随着退火温度的升高，由起始的单轴磁各向异性逐渐......
[期刊论文] 作者：汪巍,苏少坚,郑军,张广泽,左玉华,成步文,王启明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Epitaxial Ge1-xSnx alloys are grown separately on a Ge-buffer/Si(100) substrate and directly on a Si(100) substrate by molecular beam epitaxy (MBE) at low tempe...
[期刊论文] 作者：苏少坚,汪巍,胡炜玄,张广泽,薛春来,左玉华,成步文,王启明,,
来源：材料导报 年份：2010
Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料，具有广阔的应用前号，但是其生长存在许多困难，尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝，但是所生长的材料的热稳定......
[期刊论文] 作者：苏少坚,汪巍,张广泽,胡炜玄,白安琪,薛春来,左玉华,成步文,王启明,,
来源：物理学报 年份：2011
使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn...
[会议论文] 作者：成步文,苏少坚,张东亮,张广泽,薛春来,罗丽萍,郑军,左玉华,王启明,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
GeSn 是一种新型硅基异质结构材料，其晶格常数和带隙在大范围内连续可调，并有可能实现直接带隙，在硅基高效发光和探测、硅基红外器件、高效全光谱太阳能电池研制、硅基高迁移率器件等方面具有重要应用前景，成为近年硅基光电子和微电子研究的热点。......
[期刊论文] 作者：胡炜玄,成步文,薛春来,薛海韵,苏少坚,白安琪,罗丽萍,俞育德,王启明,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2010
目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在At present, each photonics unit required for the integrat...
[期刊论文] 作者：白安琪,胡迪,丁武昌,苏少坚,胡炜玄,薛春来,樊中朝,成步文,俞育德,王启明,,
来源：物理学报 年份：2009
用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形...
[会议论文] 作者：成步文,王启明,薛春来,薛海韵,胡炜玄,汪巍,苏少坚,张广泽,罗丽萍,左玉华,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料，它既是硅基高迁移率材料，同时也是重要的硅基光子学器件用材料，在硅基光电集成中具有重要的应用前景。本文将介绍硅基Ge材料的外延生长......
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