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[期刊论文] 作者：陈蒲生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
采用雪崩热电子注入技术研究了用于VLSI的快速热氮化的SiO_xN_y薄膜界面陷阱。给出这种薄介质膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的变化关系,观察到这种薄膜存在着不同类型的...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,杨光有,
来源：半导体学报 年份：1990
本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO2膜和氮化后再氧化SiO2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以...
[期刊论文] 作者：杨光月,陈蒲生,
来源：半导体杂志 年份：1990
...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,杨劲,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
本文报导了采用光I—V法研究MIS结构中新型的快速热氮化的SiOxNy膜电荷特性。给出这种介质膜和传统的SiO2膜的体电荷面密度及其分布重心位...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,王川,
来源：半导体学报 年份：1997
研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法低温形成的ＳｉＤｘＮｙ薄膜与其电学特性。探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化退火等的相互关系。......
[期刊论文] 作者：杨劲,陈蒲生,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1992
介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy...
[期刊论文] 作者：王川,陈蒲生,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
研究了等离子体增强化学气相淀积法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配双与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ结构进行了电学测试，探......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,王川,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特......
[期刊论文] 作者：王锋,陈蒲生,
来源：半导体技术 年份：1997
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，发迹衬底温度，反应室气压，混合气体组合，动用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱和红外吸收光谱分......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,王川,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
研究了等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温形成新型ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面特性。研究侧重于ＰＥＣＶＤＳｉＯｘＮｙ薄膜良好界面特性的控制，探索出界面特性与微观组份，衬底工作温度，反应室气压，退火致密，金属化后退火......
[期刊论文] 作者：杨劲,陈蒲生,
来源：半导体技术 年份：1991
本文介绍在我们用于研究MOS、MIS结构介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法中的技术小改进——垫高电压。这一在原测试电路上十分简单的改进,可使我们原有测试系统探测到俘获截面...
[期刊论文] 作者：杨劲,陈蒲生,,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1992
介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,杨光有,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The effects of avalanche hot-electron injection on trapping behavior of bulk electron and interface state of rapid thermal nitrided SiO2 film is investigated. I...
[期刊论文] 作者：田浦延,陈蒲生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
研究了光电耦合器的结构设计,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了重要参数CTR和BV随绝缘距离的变化以及BV与封装尺寸的关系.分析了用于不同光传输结构光耦的内外封装...
[期刊论文] 作者：冯文修,陈蒲生,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：陈蒲生,徐美根,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
用深能级瞬态谱技术研究了快速热氮化SiO_xN_y膜界面态密度及界面态俘获截面特性,分析了Si/SiO_xN_y界面的DLTS理论,结果表明,快速热氮化SiO_xN_y膜的界面态密度随禁带中能量...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,张昊,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
采用雪崩热电子注入技术研究纳米级富氮SiOxNy薄膜界面陷阱的物理模型。评实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱，随...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,章晓文,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
采用雪崩热电子注入技术研究了富氮ＳｉＯｘＮｙ纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱，随注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用，其密度大过施主型界面电子陷阱......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,冯文修,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试，研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征，侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时......
[期刊论文] 作者：章晓文,陈蒲生,
来源：半导体技术 年份：1999
采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ），测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ膜......
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