DLTS相关论文
缺陷工程对半导体光伏器件至关重要,全面深入地理解缺陷形机理并合理调控缺陷有利于实现高效的太阳能源转化。准一维（Q1D）结构的锑基......
研究了深能级瞬态谱（DLTS）测量HfO2/SrTiO3（STO）场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导......
期刊
本文通过对掺 Au、掺 Pt、电子辐照、γ射线辐照实验样片的 DLTS 测量、分析,确定它们在 N 型硅片中产生的有效复合中心能级分别为......
碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料,有着宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率等特点,是发展大功率、高频高温以及抗强辐射等技术......
对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明, 制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器......
以SiH4和H2作为气源, 采用热丝化学气相沉积法制备a-Si∶H薄膜钝化c-Si表面, 采用准稳态光电导法和I-V法分析了工艺参数对钝化效果......
将ＤＬＴＳ用于对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓＱＤ结构样品的测量，测定了ＱＤ能级发射载流子的热激活能；获得了ＱＤ能级俘获电子过程伴随有多声子发射（ＭＰＥ）、ＱＤ能级存在一定程度的展宽、以及......
提出利用深能级瞬态谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ） 技术研究 Ｍ Ｎ Ｏ Ｓ 结构中界面陷阱的分布，阐述并建立了 Ｍ Ｎ Ｏ Ｓ结构 Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ 存储峰和界面态峰的解析理论，并给出区分......
提出一种寿命控制新技术——氢离子辐照缺陷汲取铂局域寿命控制技术.所有样管首先进行能量为550keV,剂量为1×1013~5×1014cm-2的......
Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2......
本文应用DLTS(深能级瞬态谱)技术研究磷处理对Si—SiO_2界面态密度和停荻截面的影响.给出了(100)晶向n型硅MOS结构的实验结果.
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硅单晶的中子嬗变掺杂(NTD),是硅原子俘获热中子发生(n,r)反应而实现嬗变掺磷的.这一核反应过程是~(30)Si(n,r)~(31)Si→~(31)P+......
本文给出了中子辐照和掺杂区熔硅的少子寿命和DLTS缺陷随退火温度变化的关系,中子辐照剂量和成晶气氛对少子寿命回复和DLTS缺陷退......
本文通过DLTS深能普和I-V反向特性的测试,研究了经氧本征吸除处理的晶片(I-G晶片)和一般抛光片(原始晶片)在电学性能上的差别。研......
用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了高镉组份碲镉汞混晶(Hg_(1-x)Cd_xTe,0.55≤x≤0.84)的深能级。实验所用碲镉汞晶体用固态再结晶......
一般情况下,硅中的铜只有很小—部分是电激活的.因此当硅中含铜量微小时,就难于用DLTS等方法来测量它.本文提出一个用电子辐照使硅......
本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火,证实了它与常规热退火具有相同的再结晶机理——固相外延再结晶过程.对于注As~+和注B~+......
在研究硅n~+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加......
本文将DLTS测试技术用于低剂量B~+注入MOS结构,并给出了计算方法.对通过920(?)SiO_2膜、注入剂量为5×10~(11)B~+ cm~(-2),经480℃......
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样......
对p型硅衬底上的MOS结构用DLTS法测量了界面态密度的能量分布和俘获截面与能量的关系。 (100)方向P型硅衬底浓度约为2×10~(15)cm~......
用深能级瞬态谱技术研究了快速热氮化SiO_xN_y膜界面态密度及界面态俘获截面特性,分析了Si/SiO_xN_y界面的DLTS理论,结果表明,快速......
对温度500℃、RF氧等离子体氧化生长的SiO_2形成的MOS结构进行了DLTS测量.应用能量分辨DLTS模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了......
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In this paper, we investigate the influence of deep level defects on the electrical properties of Ni/4H–SiC Schottky di......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级,并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间......
该文研究了GeSi双层量子点的耦合效应,从理论和实验上对用分子束外延(MBE)自组织方式生长的Si基Ge双层量子点的深能级瞬态谱(DLTS)......
Phase I trial of dose escalation of capecitabine combined with fixed docetaxel in previously treated
与 docetaxel 相结合的客观 Capecitabine 为非小的房间肺癌症(NSCLC ) 表明了 antitumor 协同作用。由于阶段的缺席我在中国的试......
首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响.结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级......
本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有......
应用深能级瞬态谱（DLTS）技术，首次研究了GaAs0.55P0．45红色发光二极管少子陷阱。结果表明，GaAs0.55P0．45红色发光二极管有一个少子陷阱；并......
利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/p-Si异质结的两种不同温度(850℃,1 000℃)退火下的深能级中心.发现850℃退火......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理......
采用DLTS(深能级瞬态谱)与光功率测量方法,研究了发光二极管(GaP:N)经1MeV电子辐照后,其输出光功率的变化情况。实验发现,只在近乎......
采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ），测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的......
用电容及电流DLTS方法测量了B~+、P~+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱......
本文采用DLTS及光电容技术对n型未掺LEC-GaAs材料中的深中心进行了研究.通过对E_5能级阈值附近光电离截面谱的温度效应的分析,提出......
提出一种寿命控制新技术氢离子辐照缺陷汲取铂局域寿命控制技术．所有样管首先进行能量为550keV，剂量为1×10^13～5×10^14cm。......
报导了电子辐照高阻ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ中缺陷态的退火特性。分别采用真空和Ｎ２气保护下进行等时、等温退火，测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命，对两种......
Deep level transient spectroscopy (temperature scans) of AlGaInP based red light emitting diodes was carried out from 77......
相对于传统深能级瞬态谱 (DLTS)方法 ,快速傅立叶变换深能级瞬态谱 (FFT DLTS)方法具有灵敏度高 ,分辨率高等特点 ,但是由于用FFT ......
目的研究1200 V碳化硅二极管重离子辐照诱生缺陷对漏电流退化的影响。方法以SiC结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Di......
