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日本研究者在基于自立式氮化镓衬底上制造出的垂直结构的氮化镓p-n二极管中实现突破性水平的击穿电压和较低的导通电阻。这一产品......
介绍一种开发用于灵巧武器的低成本毫米波收发机的方法,此收发机由砷化镓单片毫米波集成电路组成,其中所有的有源元件均采用晶体管......
本文讨论了一种新的改进型I~2L结构,它在保持低功耗工作的情况下具有速度高,扇出能力大的特点。制作了一种新的“向上扩散”结构,......
用SIMS技术对表面覆盖金的SOS片进行了铝自掺杂剖面研究.结果表明,不同工艺对SOS膜的铝自掺杂剖面曲线影响很大.背面封闭的SOS片的......
在简单回顾了标准I~2L门开关速度的限制因素之后,计算了某些特殊的高速I~2L门的缚输延迟时间。对于采用氧化物隔离、薄处延层来实......
本文介绍利用异质结注入和GaAs中电子弹道运动的AlGaAs/GaAs异质结弹道双极晶体管(简称BBT)的理论和设计。指出并讨论了成功地实现......
A very shallow N-P junction has been produced on a silicon substrate using a low energy ion implantation(≤25keV) follow......
期刊
利用等离子体浸没离子注入(PⅢ)的束发散角适中这一优点,我们在高深宽比的Si沟槽中进行了硼的保角掺杂。结染色后用扫描电镜(SEM)......
激光区熔再结晶制作的ＳＯＩ结构中杂质分布和迁移率分布研究＝［刊，俄］／－１９９３．２２（１）．－３～１３绝缘物上硅（ＳＯＩ）工艺，是微电子学最有发展前途的制作技术，特别是制作具有高速、......
场效应晶体管输入电容低频振荡与沟道掺杂分布的关系＝［刊．俄］／－１９９３．２２（２）．－１５～１９肖特基势垒场效应晶体管广泛地用于一系列较高强度低频振荡设备之中。基本......
本文给出了一个新的两维半导体器件分析程序SDA-1。它采用了较完全的器件物理模型,同时在数值方法上采用了符号Lu分解的稀疏矩阵技......
