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随着SOI技术的快速发展,ESD保护逐渐成为SOI电路广泛应用的一个主要障碍.为了解决这个问题,本文采用了栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了抗ESD实验,分析了影响保护电路抗ESD性能的因素.
CMOS/SOI电路的抗ESD实验
【摘 要】
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随着SOI技术的快速发展,ESD保护逐渐成为SOI电路广泛应用的一个主要障碍.为了解决这个问题,本文采用了栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了抗ESD实验,分析了影响保护电路抗
【机 构】
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中国科学院微电子中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
：
2003年期
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