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设计了—套比较成熟的高功率BCD器件及工艺，它集成了70V高压VDMOS、Bipolar、CMOS以及各种二极管、电阻、电容等器件，与以往的BCD工艺相比较具有高功率，集成器件多，器件性能更加稳定，兼容性更好的特点，适合于高压大电流电路应用。
70V BCD(VDMOS)器件及工艺设计
【摘 要】
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设计了—套比较成熟的高功率BCD器件及工艺，它集成了70V高压VDMOS、Bipolar、CMOS以及各种二极管、电阻、电容等器件，与以往的BCD工艺相比较具有高功率，集成器件多，器件性能
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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