ESD保护电路相关论文
本文通过设计ESD测试芯片,验证四种ESD防护技术及其组合.芯片的整体构架采用锁相环加状态机的测试结构,最后流片采用DIP20封装.......
本文分析了静电放电对集成电路的影响，从外部及内部因素，探讨了防治静电放电对集成电路带来的损伤的方法。集成电路的ESD防护设......
在CMOS集成电路中ESD效应在设计上是需要重点考虑的,尤其是在芯片的I/O部分.本文研究了0.13μm CMOS工艺I/O库的ESD保护电路,并按......
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行......
为了能在芯片设计阶段更好地进行ESD保护电路的设计改进，需要一个专门针对ESD保护电路/器件的完善且精确的模拟工具。本着这一目的，......
为了防止ESD失效，学术界和工业界做了大量的努力，从ESD的物理机制的研究到开发出相应的保护结构及电路等，可以说取得了相当大的成效，但......
近年来等离子显示器(PDP)已成为高清晰度电视(HDTV)的主流产品之一,而PDP驱动芯片是PDP系统中不可缺少的组成部分,其成本约占整个P......
介绍了 ESD保护结构的基本原理 ,并提出一个基于 CMOS工艺用于 IC卡芯片的保护电路。讨论了一些重要的设计参数对 ESD保护电路性能......
介绍了 ESD保护结构的基本原理 ,并提出一个基于 CMOS工艺用于 IC卡芯片的保护电路。讨论了一些重要的设计参数对 ESD保护电路性能......
随着工艺特征尺寸的缩小，射频集成电路承受的静电放电（ESD）问题日趋变得复杂。保护电路与被保护核心电路的相互影响，已经成为制约射频......
在第14届高交会电子展上，TDK公司展示了爱普科斯（EPCOS）新型高集成智能手机前端模块，可用于智能手机和传统功能手机。除覆盖传统的GSM8......
CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计.......
从电路设计的角度，介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路。在此基础上，构建了一种混合信号IC全芯片ESD保护电路结构。......
详细分析了一种基于深亚微米CMOS工艺输出单元电路结构，并对其三个基本模块：输出驱动、电源噪声抑制和ESD保护进行了深入研究。综合......
MAX13046E／MAX13047E为多电压系统中的数据传输提供电平转换，VL电压范围为1．1～3．6V或（Vcc＋0．3V）（两者中电压较低的一个），Vcc电压范围为1．65～5．5V。......
EMIF06-AUD01F2采用2．42mm×1．92mm的倒装片封装，集成了完整的EMI（电磁干扰）滤波电路和DESD（静电放电）保护电路。......
详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。......
TDK公司推出了爱普科斯（EPCOS）新型高集成智能手机前端模块。除了覆盖传统的GSM850MHz、900MHz、1800MHz和1900MHz频段以外，还涵盖WCD......
本文简要地回顾了ＣＭＯＳ电路芯片上ＥＳＤ保护电路设计技术发展概况，给出了在中小规模、大规模及超大规模各阶段的ＣＭＯＳ电路芯片上ＥＳＤ保护电路的主流技术......
ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,MOS器件的栅氧化层面积小、厚度薄,因此在测试、封装和应用过程中,来自人体......
非接触智能卡芯片在生产加工过程中不可避免地会产生由于静电放电(ESD)原因导致的失效.收集失效样品并进行分析,并最终确定失效模......
分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计......
集成电路工艺发展到深亚微米阶段,器件的物理尺寸日益减小,芯片的可靠性设计面临的问题越来越复杂。为缩短研制周期,节约成本,应在......
提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构。该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高......
本文研究了在CMOS工艺中I/O电路的ESD保护结构设计以及相关版图的要求,其中重点讨论了PAD到VSS电流通路的建立。......
基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6μm CMOS工艺的工艺库（06mixddct02v24......
主要介绍了人体的静电模型和IC中ESD（Electric Static Discharge）保护设计的防护电路以及注意事项，包括输入端口两级ESD保护结构和版......
随着MOS器件栅氧化层变薄,栅的击穿电压下降,这使得ESD对集成电路的影响变大;同时在高速混合信号IC领域,高健壮度的ESD保护电路所......
随着现代集成电路的发展,工艺特征尺寸越来越小,氧化层越来越薄,集成电路抗静电能力也越来越差。对于深亚微米工艺集成电路来说,静......
