【摘 要】
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利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器件的回波损耗,解决了SOI光电器件回波严重的问题,改善了器件性能.利用上述方法封装的器件回波损耗为55dB,插入损耗增加不超过1dB.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子研发中心(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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利用高斯光束耦合理论分析了SOI波导光电器件的回波损耗,并且采用倾斜3.37度抛光SOI波导端面和在波导端面镀减反膜的方法提高了器件的回波损耗,解决了SOI光电器件回波严重的问题,改善了器件性能.利用上述方法封装的器件回波损耗为55dB,插入损耗增加不超过1dB.
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