【摘 要】
：
本文通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼
【机 构】
：
北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g*的大小。发现由于交换相互作用,g*比g0有了显著的增加。同时g*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大。电子与电子的交换相互作用增强。
其他文献
本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度
以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米
妇女怀孕期间的乳房保护是个值得注意的问题。为了使分娩后的新生儿健康成长,应注重做好以下三件事: (1)不要戴过紧的乳罩,孕期平时尽可能不戴乳罩,使乳房得到充分的放松;不
本文报道了一种新的利用侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层技术制备GaN微腔的方法。我们采用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在监宝石和自支撑的GaN衬底上生长一层100nm的AlInN牺牲层
徐河水,宿松县程集中学数学学科高级教师,校教研处主任。在22年的班主任和毕业班教学工作中,徐河水和学生心心相印,既当好老师,又做好朋友。他的眼里从来没有所谓“差生”。
基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED),以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)被制备出来。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反
蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm。激光器的腔长为800μm,沿蓝宝石的(1-100)
万宝宝是全国人大常委会原委员长万里的孙女，她从小和父母随爷爷住在中南海，16岁出国留学。学成归来后，她不甘心父母安排自己的命运，辞去待遇优厚的银行职员工作，当起了父亲眼中的“个体户”——珠宝设计师。没想到，她还真折腾出了名堂。而在情感方面，身为时尚达人的她却羡慕父辈的传统婚姻。近日，笔者在北京与这位颇具个性的女子进行了零距离对话…… 红墙内享尽万千宠爱， 16岁开始独闯天下 记者（以下简
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体
GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表示。在拉曼光谱中,GaN/sapphire结构样品A,