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该文研究了用ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片机擦洗经ＲＣＡ工艺清洗后的抛光片表面。结果表明，结果表明：经ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片擦洗后抛光片的表面颗粒有明显的减少，经ＷＩＳＣＲ－８０测试Φ１００ｍｍ的抛光片表明颗粒大于０．３μｍ颗粒总数小于１０个／片，而抛光片表面的部分金属杂质沾污有明显的增加。
刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响
【摘 要】
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该文研究了用ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片机擦洗经ＲＣＡ工艺清洗后的抛光片表面。结果表明，结果表明：经ＳＶＧ－１８ＤＷＣ双面擦片擦洗后抛光片的表面颗粒有明显的减少，经ＷＩＳＣＲ－８０测试Φ１００ｍｍ的抛光片表明颗粒大于０．３μｍ颗粒总数小于１０个／片，而
【机 构】
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硅材料厂
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年9期
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