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高迁移率透明导电In2O3：Mo薄膜

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a547189644
【摘 要】
：
用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜.研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响.获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10
【作 者】
：
李喜峰 缪维娜 张群 黄丽 章壮健 华中一 
【机 构】
：
复旦大学材料科学系
【出 处】
：
真空科学与技术学报
【发表日期】
：
2005年2期
【关键词】
：
IN2O3 载流子迁移率 直流磁控溅射法 Mo 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 结构和性能 IMO 基板温度 低电阻率 玻璃基底 可见光区 氧分压 透射率 结晶性 c 
【基金项目】
：
国家自然科学基金
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用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜.研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响.获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4 Ω·cm,载流子迁移率高达50 cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%.X-ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性.分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制.
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