直流磁控溅射法相关论文
利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，在室温条件下，研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量......
在室温条件下采用直流磁控反应溅射方法,在涤纶纺粘非织造织物(PET)表面沉积了纳米二氧化钛(TiO2)功能结构层.研究在不同氧气流量......
本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜.研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样......
采用外加电磁线圈直流磁控溅射法低温制备了ZnO:Al透明导电薄膜,研究了不同沉积参数对AZO薄膜电学性能的影响.通过改变外加同轴线......
采用直流磁控溅射法使用合金靶制备了(TbDy)Fe薄膜.在400℃以下处理时薄膜均为非晶态.在500℃以上处理的薄膜中出现了α-Fe相.镀态......
本文以纯度为99.99％金属Ti为靶材,玻璃为基底,Ar为溅射气体,N2和O2的混合气体为反应气体,通过直流磁控溅射法制备不同参数下的TiO2-......
在机械加工过程中，由于刀具与工件间的摩擦，特别是高速切削时，摩擦副快速上升的温度，极易短时间内导致刀具失效。过渡金属氮化物作为切......
采用直流磁控溅射,通过控制氧分压溅射得到取向性很好的VO薄膜,并经过退火得到VO薄膜.XRD的结果表明,在氧分压增大时VO薄膜沿c轴垂......
采用反应直流磁控溅射法在单晶硅(100)衬底上沉积纳米厚度的超薄NbN薄膜.通过X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),四探针电阻测......
采用直流磁控溅射法在玻璃基板上制备ITO薄膜,研究了溅射功率、溅射时间、溅射气压等工艺条件对ITO薄膜的方阻和透过率的影响.并在......
采用直流磁控溅射法在Si(100)以及Si(111)衬底上制备Fe 薄膜.用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、超导量子干涉仪(SQUID)......
本实验采用直流磁控溅射法,使用合金靶制备了((Tb0.3Dy0.7)35Fe65薄膜.镀态的薄膜为非晶态.采用高温DSC,在Ar气保护下测量了非晶薄......
采用直流磁控溅射法使用合金靶制备了(TbDy)Fe薄膜.在400℃以下处理时薄膜均为非晶态.在500℃以上处理的薄膜中出现了α-Fe相.镀态......
采用直流磁控溅射法制作了用于衬底台阶刻蚀的铬膜。为了控制衬底台阶的质量，实验研究了铬膜沉积条件与耐刻蚀性和耐腐蚀性间的关系......
为了制备双面YiBaCuO(0〈x〈1)超导薄膜，作者设计了一种筒形加热器，对基片辐射加热。采用中空柱状阴极靶直流磁控溅射法。成功的在(0......
采用直流磁控溅射法在（１１０）ＬａＡｌＯ３单晶基片上制备了Ｌａ０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３－δ外延膜，系统地研究了样品的结构以及基片温度、外磁场对磁电阻效应的影响．将ＬＳＭＯ／（１１０）系列样品与ＬＳＭＯ／（００１）系列......
面对全球能源短缺、环境污染等难题,太阳光伏发电是其有效解决途径之一,因此研究低碳、高效太阳电池迫在眉睫。本课题根据太阳电池......
Ti-Si-N硬质膜因具有硬度高、内应力低、膜基结合强度高、耐磨性优良、热稳定性和化学稳定性好以及制备工艺简单等优点,很好的符合......
本研究以制备出高性能的1-3型超声探头用压电材料为目的，参考有限元分析软件ANSYS的分析结果，采用改良的切割-填充法制备了压电相体......
Fe-N 薄膜因其具有高饱和磁化强度、低矫顽力,有望获得较高的微波磁导率,而在集成化微磁器件、抗电磁干扰以及新型雷达波吸收材料......
氧化镉作为一种宽禁带(Eg=2.3eV)直接带隙化合物半导体，对应的波长处于太阳光谱在可见光波段能量最强值510nm附近。CdO以其高载流子......
采用直流磁控溅射法在普通的载玻片（10×10×1.2mm）和400目覆碳的铜网（Φ3mm）上制备了氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜。所用的靶材是高纯度（99......
ZnO是一种具有广阔发展潜力的光电材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,容易生长且成本低。Ce是一种重要的稀土元素,......
该文将现代电子工艺中比较先进的成膜工艺——直流磁控溅射法,应用在PTCR元件的底电极的制备上,是一种全新的尝试,结果获得了高性......
四氧化三铁（Fe3O4）是典型的半金属材料,它是室温测量条件下自旋极化率最高的半金属材料,极化率高达84%,而且具有高达860K的居里温度......
在铊系高温超导材料中，Tl2Ba2Ca2Cu3O10(Tl-2223)薄膜是其家族中临界温度最高的超导材料，也是截止目前为止世界发现的所有超导材料当......
有机薄膜电致发光器件（OLED）自20世纪80年代末成为电子显示领域一颗耀眼的明星。它具有低压直流驱动、主动发光、色彩饱和度好、视角......
低温半导体相的铁硅化合物β-FeSi2以其优越的性能在近几十年来受到了国内外相关人士的广泛关注，逐渐成为热电、光电子、微电子和光......
由于纳米结构材料的特性及其潜在的应用，制备和合成技术成为近年来材料领域的一个研究热点，其中采用模板辅助技术合成纳米结构材料的......
建立在磁光克尔效应基础上的磁光存储技术兼有磁存储和光存储的优点。蓝光技术和超分辨读出技术是提高磁光存储密度的两个重要手段......
随着磁性元件不断的向微型化、集成化、高频化方向发展，具有优良性能的软磁薄膜材料得到了深入的研究，并在记录磁头、垂直磁记录媒介......
ZnO是一种宽禁带半导体材料，为六方晶体(纤锌矿)结构，与GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右，激子束缚能为60meV，是继......
研究者们发现结构色具有虹彩效应、高反射率、偏振性等优点。近些年大量的实验研究已经证明结构色与微观结构之间有着密切关系，因此......
随着信息技术应用范围扩大和电子产品数字化发展,对电子器件和作为电子元器件的基础材料提出了更高的要求。目前,集成电路技术依然......
本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钼氧化铟（IMO）透明导电氧化物薄膜的铟钼金属镶嵌靶。它由在纯度为99．99％的纯金属铟圆......
尽管铜合金拥有高电导率和良好的耐蚀性能,但其用途主要因其物理特性如高密度、低硬度和低力学性能而受到限制.为了寻求增加铜用途......
用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜.研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响......
采用直流磁控溅射法研究了磁控溅射沉积氮化铁薄膜的生长机制, 并归属了其生长普适类型. 结果表明, 磁控溅射法生长的薄膜表面具有......
ZnO是一种具有宽带隙(3.37eV)、高激子束缚能(60meV)的N型直接带隙半导体材料。由于具有多种优异特性，使其在薄膜电致激发器件、阴......
用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5 min和10 min,氩气压强分别为0.7、3、6 Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线......
本文采用直流磁控溅射方法在(100)取向的LaAlO3基片上制备了系列多层膜: La0.67Ca0.33MnO3-δ/La0.67Sr0.33MnO3-δ/La0.67Ca0.33M......
最近,以溅射镀膜法制备的日光控制玻璃在建筑和汽车上广泛使用。TiN_x和CrN_x薄膜是日光控制玻璃的典型可选材料。TiN_x薄膜具有广......
太阳能是一种可再生清洁能源,其储量巨大,取之不尽,用之不竭,对环境无污染,对它的应用研究已成为今后人类能源发展的主要方向之一......
采用直流磁控溅射法在空芯玻璃微球表面镀Al膜,将空芯玻璃微球、镀Al膜玻璃微球和高分子粘合剂按一定比例混合制成人工介质材料。......
