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二次温度补偿的高精度带隙基准源是高性能模拟和数模混合集成电路的重要组成部分,其精度影响了整个系统的精度。本文对一次温度补......
美国模拟器件公司(ADI)最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合,使客户可......
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研......
本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法,涉及高低压混载CMOS、DMOS、E~2PROM工艺。......
进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越的障碍.普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩......
本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管.其中采用的是深沟和LOC......
本文主要对亚微米工艺设计规则进行探讨，旨在促进设计公司与Fab厂家之间信息反馈，共同努力并顺利进入亚微米和深亚微米领域。......
