应变Si相关论文
应变硅衬底材料--弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响.综述了近年来用于纳米CMOS电路......
应变SiCMOS技术是当前国内外研究发展的重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。基于（001）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张......
生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSF......
提出了一种应变Si／SiGe异质结CMOS结构，采用张应变Si作n-MOSFET沟道，压应变SiGe作p-MOSFET沟道，n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构，二......
运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和......
应变MOS器件是在以Si为基础的MOS器件制造过程中引入应变,利用Si和SiGe晶格常数差异产生压应变或张应变,从而提高了载流子迁移率。......
基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤......
采用kp微扰理论，基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，对（101）晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研......
集成电路(IC)技术遵循“Moore定律”的发展进入了纳米尺度，来自短沟道效应、寄生效应以及量子隧穿等问题的挑战使得传统的微电子器......
针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示......
LDMOS器件相比其它功率器件,具有高可靠性,高线性度,高增益等优良电学特性。这些优点使LDMOS成为射频功率器件领域的研究热点。随......
针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器......
随着体硅CMOS技术的发展,需要从材料选用、器件结构以及加工技术等各个方面进行创新,其中以应变硅为代表的沟道高迁移率增强技术,......
应变Si和应变SiGe由于其优越的电学性能并与传统的Si工艺兼容，为摩尔定律的延续提供了一种新的研究方向。在制造集成电路的过程中，工......
Si基应变技术通过在体Si器件中引入应力来增强器件性能，且可与传统硅工艺技术相兼容，尤其是单轴应变技术已被成功应用于90、65、45nm......
应变Si材料迁移率高、能带结构可调,且其应用与Si工艺兼容,是当前国内外关注的研究发展重点,在高速/高性能器件和电路中有广阔的应......
应变Si具有迁移率高、能带结构可调的优点,且能与传统的体Si工艺兼容,在目前的集成电路产业中,应变Si/SiGe异质结构的器件和电路已......
