本文重点分析了应变Si Ge PMOSFET器件热载流子形成的机制,建立了栅电流模型,该模型增加了量子阱和平均自由程对电流的影响,通过仿......

在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不......

提出了一种应变Si／SiGe异质结CMOS结构，采用张应变Si作n-MOSFET沟道，压应变SiGe作p-MOSFET沟道，n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构，二......

应变Si和应变SiGe由于其优越的电学性能并与传统的Si工艺兼容，为摩尔定律的延续提供了一种新的研究方向。在制造集成电路的过程中，工......

应变SiGe技术通过在Si材料上生长SiGe改变材料原来的晶格结构，从而改变电子、空穴的迁移率和改进器件的能耗、频率。另一方面，SOI技......

现代移动通讯技术的迅猛发展,使市场对低成本,高性能射频器件的需求日益强烈。目前,世界上几乎每一家IC生产厂商,甚至一些作为SiGe......

SiGe技术利用SiGe／si之间的带隙差和晶格失配率，将能带工程与应变工程引入si基器件与集成电路的制造当中，提高了器件载流子迁移率和器......

由于应变SiGe材料价带能级分裂,有效地减小了空穴的有效质量、降低了带间散射,从而使空穴迁移率得到了大幅提高,将应变SiGe材料作......

集成电路进入深亚微米以后,传统的体硅CMOS寄生效应和迁移率不匹配问题亟待解决,针对体硅中器件尺寸缩小引起的寄生效应,可以采取S......