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提出一种反抛物线型掺铒光纤,该光纤可以实现二阶模式组中简并矢量模式的有效分离。将其作为光纤激光器的增益介质,采用数值方法分......
功率半导体器件是电力电子技术发展的基础，功率MOSFET由于其具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及良好的热......
学位
对WDM系统中宽带碲基掺铒光纤放大器(EDTFA)多信道增益谱特性的研究表明,在给定泵浦方式、泵浦功率和光纤长度的工作条件下,碲基掺......
短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100nm后必须面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会......
短沟效应是MOS器件特征尺寸缩小面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效抑制短沟效应,合理的Halo区掺杂分布可以改善小尺寸器件性能......
采用标准CMOS工艺制备的n+-p-π-p+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层......
根据单层突变结理论,借助电子计算机计算扩展电阻修正因子.以表格的形式给出修正因子与H1=h1/a和k1=p2-p1/p2+p1的函数关系.在没有......
本文讨论了雪崩二极管计算机模拟的物理模型、计算方法和程序设计等问题。特别详细地介绍了半隐式方法,建立了一系列程序来计算雪......
为获得高效率半导体激光器,理论分析并计算了p型波导层四种不同掺杂浓度分布对器件内损耗、串联电阻、阈值电流以及电光转换效率的......
功率半导体器件是电力电子技术发展的基础,功率MOSFET由于其具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及良好的......
从无源光纤的模场理论和有源光纤的速率方程理论出发,给出了任意折射率分布和掺杂分布光纤的有效模面积和基模提取效率的计算方法,......
高功率双包层光纤放大器在光纤通信、光纤传感和光谱测量等领域有广泛的应用,是光纤放大器发展的主要方向。目前以双包层掺杂光纤......
