光发射谱相关论文
采用高H2稀释的SiH4等离子体放电,特别是甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅薄膜的主流方法.尽管在实验......
The optical emission spectra (atomic hydrogen (H'alpha', H'beta', H'gamma', atomic carbon C (2p3s-...
本文以脉冲激光烧蚀(PulsedLaserAblation，PLA)等离子体为主要研究对象，通过对PLA等离子体光谱的测量分析，考察PLA等离子体的时空演变......
采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不......
采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法在不同功率下制备了一系列硅薄膜材料,研究了材料晶化率和生长速度随功率变......
固体能带论将电子在晶格中的运动表述为布洛赫波(振幅受晶体周期调制的一系列不同波长k的平面波),它是近代固体物理学的范式之一.1......
运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓......
采用光发射谱(OES)测量技术,实时监测了不同本底真空制备条件下氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜沉积的氧污染程度.样品的X光电子能谱(XPS......
采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影......
用光发射谱 (OES)和喇曼散射谱 (Raman)研究了VHF PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明 :随功率增加 ,对应各基团峰的强度......
采用OMA-4000测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系.发现在放电......
采用光发射谱(OES)测量技术,对不同制备条件下的甚高频(VHF)等离子体辉光进行了在线监测.实验表明,VHF等离子体中特征发光峰(Si*,S......
为了加深对等离子体增强化学气相沉积的认识,采用增强型电荷耦合器件(ICCD)研究了氢气及氢气/硅烷混合气体在不同气压条件下的时间......
在不同光发射谱(OEM)条件下,采用闭合场非平衡磁控溅射技术(CFUBMSIP)在SDC99冷作模具钢表面沉积CrTiAlN涂层,采用X射线衍射仪(XRD......
相较于非晶硅(a-Si：H)薄膜,氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜由于良好的长波响应特性,高的载流子迁移率和高的光电稳定性等优点,在硅基薄膜......
对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面：一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止．二是......
采用液相等离子体电解渗方法,在280 V和300 V电压下对Q235低碳钢进行硼碳共渗处理,分析了渗层的显微组织和相成分。研究不同电压下......
期刊
描述了TiNi形状记忆合金薄膜的一般特性及成分对其组织及性能的重要影响。磁控溅射法是应用最为广泛的制备TiNi基形状记忆薄膜的方......
通过对RF-PECVD技术沉积氢化非晶/微晶硅(a-Si:H/μc-Si:H)薄膜沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体的光发射谱(OES)原位测量,系统地研究......
对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法制备氢化微晶硅（μc-SiH）薄膜中等离子体功率的影响进行了研究。原位光发射谱（OES）监测......
采用基于有限元的数值模拟方法，研究了VHF—PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程，模拟了放电功率对等离子体特性及气......
利用原位光发射谱对衬底附近的化学气相性质进行了研究. 研究表明，氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变......
在室温下,采用超声辅助液相法快速合成了有机-无机杂化钙钛矿薄膜。碘化铅和甲基碘化氨的摩尔比为1∶1,通过超声振荡法溶于γ-丁内......
期刊
采用拉曼散射光谱和PR6 5 0光谱光度计对VHF PECVD制备的微晶硅薄膜进行了结构表征和在线监测研究 .结果表明 :功率对材料的晶化率......
