SOI工艺相关论文
随着我国航天事业的快速发展,如何能够保证航天器在空间环境中安全可靠地运行成为一个重要的话题。由于空间环境中存在着大量的辐......
基于0.13μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种应用于LTE_TDD/FDD接收发射模块的低插入损耗的单刀双掷(SPDT)射频开关电路.该电路通过使......
近年来随着集成电路工艺尺寸不断减小,工作频率逐渐增加,工作环境越来越复杂,使得集成电路电磁敏感度问题越来越严峻。绝缘体上硅（S......
单粒子效应是造成我国航天器电子系统故障的重要原因之一,是制约空间事业可持续发展的关键问题,是国产宇航用器件研发需要重点解决......
为了实现三轴检测微陀螺仪的单片集成,本文提出了一种完全对称的四方陀螺结构。文中首先介绍了该课题的研究背景及研究意义,说明了......
VG202MKⅡ全自动精密硅片减薄机是SOI工艺的主要设备之一.由于其具有高精度、全程控等特点,设备构造较复杂,调试难度较大.文章由原......
随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展，对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起，不断满......
二维MEMS扭转镜广泛应用于光纤通讯、投影显示、数据存储、精密测量、医疗成像和生物技术等国防和民用领域。在分析二维MEMS扭转镜......
相对于普通民用芯片,航天领域中的集成电路芯片的要求条件更高。介绍了铁电存储器的发展过程,通过介绍铁电存储器的物理特性与存储......
格罗方德半导体日前发布了全新的12nmFD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD—SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在......
华润微电子有限公司（“华润微电子”）附属公司华润上华科技有限公司（“华润上华”）近日宣布，继2010年首颗200VSOICDMOS产品量产后，日前更......
前年的ISSCC 2017大会上,意法半导体做过一个题为“针对智能嵌入式系统、采用28nm FD-SOI工艺的2.9TOPS/W深度卷积神经网络SoC”(A......
立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案.该方案只使用9块掩模版即完......
深亚微米SOI片上系统芯片(SoC)因其工艺特性,按照常规的布局布线(PNR)流程,出现了约一万个天线效应违规。介绍了一种在布局布线阶......
为实现微型光谱仪在工程领域的广泛应用,研究了其核心器件——扭转式微机械扫描光栅的结构与制作方法。利用SOI工艺,设计一种无需......
随着无线通信市场的迅速发展,低成本与高集成度的射频收发机需求在不断增加。为了迎合这种趋势,互补金属氧化物半导体(CMOS)由于其......
本文首先介绍了Calibre LVS的基本流程。在分析了现有的在LVS过程中电阻版图阻值提取方法的优缺点基础上提出了一种新颖的电阻的提......
近些年来,智能功率驱动芯片因为自身高效率和高可靠性的优点得到越来越多的关注。在智能功率驱动芯片中,快恢复二极管(FRD)主要作......
本文设计了一款低功耗放大器,整个放大器分为差分输入级、中间增益级、缓冲输出级以及偏置电路四部分。采用SOI工艺制作,提高了放......
设计了一款由微机电系统和专用集成电路构成的小型化硅微谐振式加速度计。该加速度计采用80μm厚SOI工艺加工微机电系统（MEMS）结构,......
虽然业界对5G抱有很大的期望,但是对于布置5G网络,目前还面临很多的挑战。虽然OEM和芯片厂商都在开发相关的5G产品,但5G标准尚未确......
介绍了一种集成式硅MEMS振动陀螺仪。首先阐述了MEMS振动陀螺仪的工作原理;在此基础上,介绍了陀螺敏感结构形式:采用双端固定音叉......
VG202MKII全自动精密硅片减薄机是SOI工艺的主要设备之一。由于其具有高精度、全程控等特点,设备构造较复杂,调试难度较大。文章由......
由于充分结合了激光技术与MEMS技术各自的优点，微型激光投影显示技术具有色彩表现能力强、亮度高、寿命长、体积小、重量轻及功耗低......
硅基半导体电路受到高能瞬态射线辐射时,会迅速产生大量非平衡电子空穴对,从而生成光电流。电路中的光电流导致存储数据翻转、信号......
21世纪以来我国宇航事业的快速发展对大规模集成电路抗辐照性能提出了更为苛刻的要求。伴随着集成电路工艺的不断进步,辐射导致的......
标准单元库是数字集成电路设计的基本单元，一套特定工艺条件下设计优良、高性能的单元库对于芯片设计起着重要支撑作用。也就是说，没......
基于电子设备对电源管理芯片的需求,本文设计了一种输出电压2.8 V,最大负载电流为50mA的高性能低压差线性稳压器（low-dropout regul......
介绍了全ＳＯＩ工艺和局部ＳＯＩ工艺的原理，制作过程，特点和应用范围，叙述了ＳＯＩ压力传感器的发展趋势，重点对ＳＤＢ，ＳＦＢ，ＳＯＳ，ＳＯＺ，ＳＩＭＯＸ，ＺＭＲ等压力传感器的工艺结构，主要技术性能，应用......
