COOLMOS相关论文
由Infineon Technologies(IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/265/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其优点是:用它做开关电源,无需......
e络盟日前宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合—C7和P6系列CoolMOSTM功率MOSFET,它们具......
e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS~(TM)与OptiMOS~(TM)系列产品,进一步扩充其功率MOSFET......
Cool MOS具有优越的直流特性.为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、......
PFC电路采用TDA4863,半桥逆变电路采用coolMOS管的节能灯电子镇流器,当其和灯配套工作的功率为150W时,THD＜2%.介绍了非预热式电子镇......
高能效之道就是产品和解决方案要确保大幅降低电子设备和机器的能耗。英飞凌通过提供最新的IGBT、CoolMOS、OptiMOS和碳化硅(SiC)......
近期英飞凌科技公司宣布,雅达电源最终选定其CoolMOS CS服务器系列高性能功率晶体管作为其高端服务器应用的电源系统解决方案.利用......
中国国际电源展览会期间，英飞凌展示了下一代高性能MOSFET 600V CoolMOS C6系列产品。该系列是英飞凌在CoolMOS C3和CoolMOS CP等前......
COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片,其突出特点是由其组成的开关电源,在市电......
3月中旬，在上海新国际博览中心举行的PCIM China博览会上，世界第6大半导体公司——德国Infineon(英飞凌)展示了传动装置电力电子设备......
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英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件，诸如PFC（功率因......
英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出全新的Cool MOSTMC7系列超结（SJ）MOSFET家族。该600 V系列相比Cool MOSTMCP可减少50%的开......
<正> 亿恒公司近期推出世界首款将功率因数校正(PFC)控制器与被称之为CoolMOS的高压功率MOSFET集成于同一芯片上的ASIC。这种新型......
随着越来越多的国家禁止使用白炽灯,倡导节能照明,LED灯将倍受青睐。要让LED照明得到消费者的广泛认可,具备成本效益和更高能效的......
由于Infineon Technologic(IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／265／365系列芯片是PWM＋MOSFET二合一芯片,其优点是：用它做开关电源，无城加......
光伏逆变器采用模块化设计和先进的智能休眠技术，并选用业界高效率功率开关器件COOLMOS，配合DSP控制技术、模块冗余备份和热插拔等，同......
英飞凌公司推出全新的650V CoolMOS C6／E6高性能功率MOSFET系列。基于同样的技术平台，C6器件针对易用性进行了优化，而E6器件则旨在提......
英飞凌科技推出650V CoolMOS CFDA。这是配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V ......
英飞凌（Infineon）公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO-220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗......
由Infineon Technologies公司推出的COOLMOS ICE2A180/280系列芯片比ICE2A165/265/365系列芯片的MOS管有更高的耐压和更低的导通电......
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Cool MOSCE／P7是英飞凌市场领先的高压功率MOSFET的技术平台，根据超结原理（SJ）设计，旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大，英飞凌现......
分析了利用多次外延／离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS（〉650V）的准饱和现象，与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比。结果发现......
期刊
碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性......
<正>英飞凌日前推出下一代MOSFET600V CoolMOS C6系列,可以将PFC或PWM电源转换产品的电源效率大幅提升。全新C6技术融合了超结结构......
为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型......
CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构入手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、......
核心专利带动技术发展。本文检索了COOLMOS核心专利的引文专利数据,分析了这些专利的申请趋势、主要申请人,以英飞凌为代表进一步......
