CU掺杂相关论文
利用坩埚下降法成功制备了具有标准Pnma空间群结构的Cu掺杂SnSe晶体，其尺寸为φ18 mm×55 mm,Cu元素在晶体中均匀分布。该晶体为P型......
Ni2MnGa合金是一类新型的铁磁性形状记忆合金,具有多重优异的磁控功能,在磁驱动器件、磁传感器及磁制冷等领域具有巨大的潜在应用......
ABO3型掺杂钙钛矿型锰氧化物Ln1-xMxMnO3 （Ln=稀土金属离子,M=Ca,Sr,Ba或Pb）,由于其庞大的磁电阻效应（CMR）,已经引起了人们的广泛关注......
本研究基于量子化学的密度泛函理论(DFT)研究了CO在理想和氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面上的吸附,并且对CO分子在催化剂表面不同位点的......
四方超结构Sr3YCo4O10.5+δ材料因其有序结构和高Tc～335 K被广泛研究,发现A位（Sr/Y）有序和氧空位有序是室温铁磁性产生的关键因素;此......
采用固相反应法制备了Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ(x=0～1.0)系列多晶.利用热重-差示扫描量热分析、X射线衍射等表征了多晶的有序化相变,以......
全无机钙钛矿CsPbX3（X=Cl,Br,I）纳米晶作为一种新型半导体纳米材料,因具有卓越的光电性能,在光电领域有着广阔的应用前景。对半导体......
采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂SnO2、ZnO薄膜，通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究......
本文在不同高沸点有机溶剂中制备出Cu掺杂的的FePt纳米颗粒.实验研究表明：在未掺杂Cu元素时,FePt颗粒为fcc结构.在FeC12作为Fe源的......
采用阳极氧化法制备Cu掺杂TiO2纳米管阵列薄膜，并对样品进行了紫外-可见漫反射光谱、XRD、SEM和光电性能的分析.研究了Cu掺杂对TiO2......
Bi2Te3 已经被证实是一种新型的三维拓扑绝缘体[1],它具有狄拉克型表面态和很高的热电因子,在未来的量子计算和热电材料等领域中有......
采用柠檬酸-硝酸盐自蔓延燃烧法分别合成(Pr0.5Nd0.5)0.7Ca0.3Cr1-xCuxO3-δ((PNCCCx,x=0,0.02,0.04,0.06)连接材料粉体和Sm0.2Ce0......
TiO2纳米材料良好的光电性能, 为其作为制备染料敏化太阳电池等新型太阳电池的光阳极材料提供了很好的应用基础。采用溶胶-凝胶法......
制备Cu掺杂的纳米SnO2/TiO2溶胶, 采用旋涂法在载玻片上镀膜, 经干燥、煅烧制得Cu掺杂的SnO2/TiO2薄膜, 通过对比实验探讨掺杂比例......
以Cu(NO3)2·3H2O为铜源,采用水热法在180℃条件下制备了不同Cu掺杂量的BiVO4光催化材料,其在可见光下具有强大的氧化还原能力.通......
采用溶胶-凝胶法,在450℃煅烧下制备了纯TiO 2和不同浓度Cu掺杂TiO 2纳米粉末。通过XRD、PL、SEM等测试方法对样品的晶体结构、光......
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,对ZnSe闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Se)及Zn空位(Z......
采用射频/直流磁控共溅射法制备不同Cu掺杂量的氧化钛薄膜,研究了Cu掺杂对TiO2膜吸收边红移的影响,并探索其机理。发现当TiO2溅射......
氟化锂（LiF）材料在x射线单色仪、紫外线滤波器和热释光剂量计等领域有广泛的技术应用。LiF:Mg,Cu,P作为热释光剂量计，由于其超高的灵......
有机污染物严重影响了地球环境和人类健康,开发绿色降解有机污染物技术成为当前解决其污染问题的关键。光催化技术利用太阳能处理......
固体氧化物燃料电池(SOFC)具有低污染,燃料灵活性和分布式发电等优势,是清洁利用能源的关键技术。目前其发展受到传统阴极材料的高......
在光催化研究中,TiO2属于典型的光催化材料。相比其他光催化材料,TiO2具有安全无毒、性质稳定和价格低廉等优点。决定TiO2光催化性......
Inconel 718合金是时效强化型镍铁铬基高温合金,由于其具有良好的高温抗氧化性、耐蚀性以及热稳定性等高温性能,被广泛应用于航空......
采用溶胶 - 凝胶法制备了 Cu 掺杂 TiO2 复合材料。利用 XRD、SEM、粒径和 FTIR 对复合材料的结构、形貌、粒径等进行了表征，通过罗......
碲化铋（Bi2Te3）基材料在近室温区半导体制冷和热电发电方面具有广泛而重要的应用。然而商业化区熔碲化铋材料存在机械性能较差、易解......
硒化锑(Sb2Se3)是一种很有潜力的光伏材料,具有许多吸引人的光电特性,如适当的带隙,高的吸收系数,良性晶界,低毒性,地球储量丰富,......
用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了Cu2+掺杂纳米ZnO复合粉末(CuxZn1-xO,x=0.02,0.05,0.08,0.10),用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子......
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了Co,Cu单掺杂及Co,Cu共掺杂ZnO薄膜.用金相显微镜观察了Co与Cu掺杂对ZnO薄膜形貌的影响.X射......
La2 / 3 Ca1/ 3 MnO3 系统中Mn位上Cu掺杂效应通过测量其结构和输运性质而得以研究 .结果表明 ,尽管Cu掺杂未引起晶体结构的变化 ,......
采用燃烧合成-热处理工艺制备热电材料β-FeSi2,研究了Cu掺杂和不同的硅含量对β-FeSi2相变的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显......
为了实现简易可控生长Cu掺杂TiO_2纳米管并有效拓展其吸收带边,通过电化学阳极氧化,在Cu质量百分含量为5%的Cu_5Ti_(95)合金基体上......
采用双磁过滤阴极真空弧和磁控溅射沉积法,在Cu基体表面上制备了以钛(Ti)和钛化碳(TiC)过渡层材料的Cu掺杂非晶类金刚石(DLC)薄膜.......
期刊
为了比较常见的3种金红石相半导体传感器的光催化性能的差异,文章基于密度泛函理论(DFT)体系下的平面波超软赝势方法,计算了HCl分......
锑碲基相变材料虽然具有高结晶速度和低结晶温度等优点,但由于低阻态电阻过低,容易导致复位(reset)电压过高,且热稳定性较差,无法......
纳米ZnO由于其独特的物理和化学性能，在自旋电子学、光电器件以及生物传感器等领域具有重大的应用潜力。用Cu对ZnO进行掺杂可改变Zn......
由于人们在含稀土锰基钙钛矿结构氧化物如ReAeMnO(Re为三价稀土离子,Ae为二价碱土离子)中超大磁电阻的发现,使得该类材料成为材料......
最近几年,特别是具有室温铁磁性的稀磁半导体材料,由于它们在自旋电子学器件方面具有潜在的应用前景,引起人们的广泛关注。宽带隙T......
作为一种半导体氧化物，二氧化钛具有无毒、价廉、性质稳定、催化活性高等一系列优点而在光催化降解污染物、光解水制氢、传感器及染......
相变存储材料在光存储和电存储领域具有广阔的应用前景,GeTe是其中首次发现的综合性能优异的相变存储材料,己商业化应用在光存储器......
气凝胶(aerogel)是一类具有高比表面积、高孔隙率、低密度等性质的纳米多孔固体材料，有表面界面效应、量子尺寸效应、掺杂吸附能力......
掺杂型ZnS纳米材料是一种重要的半导体纳米发光材料,具有许多优异的光电性能,在发光二极管(LEDs),平板显示,近红外窗口,传感器,激......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有较大的激子束缚能(60meV)，可以在室温下实现紫外光的受激发......
该论文是结合所在课题组承担的院九五重点项目"钙钛矿结构的过渡金属氧化物强磁场特性研究"来开展的,研究的重点集中在具有超大磁......
在该论文中,研究人员通过对锰氧化物进行掺杂研究,对CMR材料的物性以及磁阻机制进行了一些探索.该论文分为四章.第一章首先回顾了......
MgB2是2001年初报道具有超导电性的，其Tc为38.5K，在同类化合物中是最高的。由于其高Tc，结构简单以及不含Cu-O面，使得它成为最具应用潜......
多孔硅是一种多功能半导体材料,氧化锌具有新异的光学、电学及气敏特性。本文采用电化学腐蚀法以p型(100)单晶硅为原材料制备了多......
