Co掺杂相关论文
采用真空电弧熔炼技术制备Cu1-xCoxInTe2（Co 元素掺杂比x= 0,0.1,0.2,0.3）稀磁半导体。 利用X 射线衍射仪（XRD）、振动样品磁强计（VSM）和......
四环素（TC）由于其抗菌效果好,因此被广泛应用于医疗以及畜牧养殖行业。然而,在近些年以来,由于含TC废水的不合理处置,导致对环境的污......
学位
开发活性高、稳定性好的催化剂是实际应用的一个长期目标。本论文以ZnO和g-C3N4为基底,通过掺杂钴离子和在光催化剂上负载钴系催化......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法研究了本征Mg2Si及钴(Co)掺杂Mg2Si体系的晶体结构、自旋态密度、磁性和光学性质......
随着现代制造业的快速发展,高性能材料一直是科研人员关注的焦点。Inconel 718合金是镍基高温合金中典型的代表之一,它是由主要强......
本论文采用共沉淀法制备了非晶态钨酸镍(NiWO_4)粉体,反应温度对样品结构影响不明显。采用水热法在泡沫镍(NF)衬底表面生长了黑钨......
采用水热法制备了Co掺杂NiOH2样品。XRD分析表明,所得样品具有α-NiOH2结构,且含有少量的β-Ni OOH和β-NiOH2相。Co掺杂对NiOH2的......
Inconel 718合金是时效强化型镍铁铬基高温合金,由于其具有良好的高温抗氧化性、耐蚀性以及热稳定性等高温性能,被广泛应用于航空......
二氧化钛(Titanium dioxide,TiO2)是一种由Ti原子与O原子构成的周其期性半导体材料。因其物理性质稳定、机械强度高、载流子应用寿......
锂离子电池自从问世以来,就被广泛地应用于各领域中。随着环境问题的日益加剧和不可再生能源的日益枯竭,新能源汽车行业随之迎来了......
合金化是克服第五副族金属(Nb,V,Ta)氢脆问题的有效方法.以Nb-5W为基础成分,探索第三组元(Co)掺杂(X=1,2,3,5)对Nb95-xW5Cox合金结......
多铁性材料是一类可以同时具有（反）铁电序、（反）铁磁序及铁弹序中两者或两者以上性质的多功能材料。其中铁电序-（反）铁磁序耦合的多铁性......
巨磁电阻效应的发现使得磁电子学成为了磁学研究的热点。随着半导体器件尺寸的迅速减小，量子效应将产生影响。稀磁半导体通过在半导......
近年来,ZnO作为一种新型的波长较短的半导体激光材料被大众人群所知晓,由于ZnO其自身所具有的十分优良的电学性能以及光学性能,所......
以钛酸丁酯、六水硝酸钴等为原料,采用溶胶凝胶法合成Ti1-xCoxO2干凝胶前驱体,将前驱体在500℃空气氛围下进行退火处理,得到一系列......
为了满足当今社会新能源汽车、混合动力车对储能锂电、动力锂电的需求,研发新型正极材料是当务之急。尖晶石结构正极材料LiNi_(0.5......
硬磁材料（永磁材料）在科学技术高速发展的当今社会有着十分广泛的应用,由于具有高的磁晶各向异性能（Ku）和高磁能积（（BH）max）,使硬磁材料不......
多铁性材料是指同时具有铁电有序和磁有序。其中引起人们最关注的是铋铁氧体(BiFeO_3),其同时具有铁电有序(铁电居里温度为1103K)......
具有3.37eV能带宽度和60meV室温激子束缚能的ZnO,凭借其优良的光电性能和丰富的纳米形貌结构,一直吸引着科研工作者的研究兴趣。相......
在科技不断进步和集成电路飞速发展的今天,各种各样的电子设备对半导体材料性能的要求不断提高。稀磁半导体材料具有磁光、磁电、......
稀磁半导体(简称 DMS),是指过渡金属磁性离子部分无序取代半导体中的阳离子而形成的一类新型半导体材料。稀磁半导体将半导体与磁......
FeN化合物在基础研究和实际应用方面都是一种重要的材料,尤其是α-Fe_(16)N_2相具有大饱和磁化强度和大磁晶各向异性,为实现大的磁......
稀磁半导体材料,由于其在自旋电子器件上的潜在应用价值,在最近几年里引起了人们广泛的兴趣。为了能实际应用,必须要获得居里温度......
近年来,ZnO基半导体受到越来越多的关注。室温下的ZnO具有良好的物理性能：禁带宽度为3.37 eV左右,激子束缚能为60 meV,可以实现室温......
在众多光阳极材料中,纳米结构材料α-Fe2O3由于其光吸收显著、化学稳定性好、储量丰富等优势,被认为是最有前途的材料之一。利用水......
用溶胶-凝胶法制备Co掺杂TiO2纳米晶,利用X-射线衍射(XRD)和紫外-可见光谱(UV-Vis)对样品进行表征.结果表明:400℃时,粒子平均粒径......
利用共沉淀法制备了锂离子电池正极材料Li1.2Mn0.6Ni0.2O2和Li1.2Mn0.588Ni0.196Co0.016O2,并利用XRD、SEM和充放电测试对其晶体结......
系统地研究单相Co掺杂自旋梯子化合物Sr14-xCaxCu24-yCoyO41(x=9:y=0,1,2,3;x=6:y=0,3)系列样品的晶体结构、电阻率以及热电势随Co......
系统研究了La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(0.0≤x≤0.3)体系的结构和输运特性.结果表明,随着Co掺杂浓度的增加,体系的晶胞体积单调减小,并......
采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法,对N2在Ru(001) 表面top、fcc、hcp、bridge 四个吸附位和Ru-Co(001)表面Ru-top、C......
采用高温高压方法将由溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体纳米颗粒置于6GPa压强和1000℃环境中处理,并研究其结构和......
采用高温固相法和溶胶-凝胶法制备LiCoXMn2-XO4（x=0,0.05,0.1,0.2）,研究了掺杂Co后,材料的相结构和充放电性能,并与LiMn2O4相对比.结......
采用溶胶-凝胶技术和提拉法，在载玻片上制备了金属元素Co掺杂的纳米多孔TiO2薄膜。用X／LD表征薄膜的晶型、扫描电子显微镜观察薄膜的......
期刊
以CTAB为表面活性剂，采用水热法成功制备不同掺杂比例的尖晶石型Zn1-xCoxFe2O4（x=0，0.2，0.4，0.6）纳米颗粒，并利用 X 射线衍射（XRD）、高分辨......
为制备钴掺杂TiO_(2)(Co-TiO_(2))抗菌陶瓷并研究其抗菌性能,通过自制超声喷雾装置将Co-TiO_(2)纳米溶胶喷涂到陶瓷片表面,并对所......
文章利用溶胶凝胶法在ITO／玻璃衬底上制备不同浓度Co掺杂的BiFe1－x Cox O3（ x＝0．00、0．05、0．1、0．15）薄膜样品。研究了Co的掺杂对BiFeO 3薄......
以硅酸钠和偏铝酸钠为原料,通过水热合成法制备钴掺杂NaP分子筛,通过X射线衍射光谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、N 2吸附-脱附等表......
采用掺杂Co的b-Ni（OH）2为前驱体,以K2S2O8为氧化剂,制备出b-羟基氧化镍钴;再用b-羟基氧化镍钴为前驱体,和Li OH·H2O在空气中进......
采用磁约束电感耦合等离子体增强溅射法（ICP—PVD）在Si（100）和石英玻璃衬底上沉积了Zn0.95Co0.05O薄膜。XRD谱显示薄膜具有较强的（002）衍......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在单晶Si（100）及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜，并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0．02P......
采用自旋极化密度泛函理论方法对Co掺杂闪锌矿Zn O的能带结构、态密度、磁学和光学属性进行了研究。计算结果显示：Co掺杂闪锌矿Zn O......
以四硫代钼酸铵为前驱体,采用等体积浸渍法制备一系列MoS2和Co掺杂的3A分子筛催化剂,并采用X线衍射仪（XRD）、比表面积分析仪（BET）和扫......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究Co掺杂对单斜LiMnO2结构与性能的影响.结果表明：Co掺杂可缩短阴阳离子间的距离、抑......
采用液相碳热还原法合成了Co改性的锂离子电池正极材料LiFe1-xCoxPO4（X=0，0．02，0．05，0．08），采用XRD、SEM、循环充放电、电化学阻抗和循环伏......
采用溶胶-凝胶工艺制备了磁性Co掺杂TiO2基稀磁半导体的纳米颗粒,在空气氛围中以不同温度对样品进行退火处理.通过差热/热重综合热......
采用溶胶—凝胶法在Si表面通过浸渍提拉制备了Ti0.975Co0.025O2薄膜样品,并在空气氛围下以不同温度对样品进行退火处理.利用差热/......
通过溶胶—凝胶法制备了Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计等测试手段对Co掺杂ZnO稀......
以钛酸正丁酯、六水硝酸钴等为原料制备了溶液前驱体,将前驱体置于高压反应釜中170℃反应7 h,得到Ti0.9925Co0.0075O2粉末样品.然......
