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本文从光子增强热电子发射效应(PETE)在太阳能方面的应用开始分析,对其中的核心组件负电子亲和势砷化镓(NEA GaAs)光电阴极的工作原理......
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利用分子束外延技术生长出了GaAlAs/GaAs折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对Nd:YAG激光器进行端面泵浦实验,在......
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱结构材料。样品的测量结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制......