双晶相关论文
TiAl基合金作为金属间化合物兼有金属和陶瓷的一些特性,同时具有耐高温、抗氧化性和较低密度诸多优势,但是TiAl基合金具有明显的室......
本文通过化学气相沉积法制备出α-Fe2O3纳米线,并利用透射电子显微术进行研究。发现,α-Fe2O3纳米线具有双晶结构,双晶界面呈“L”......
欧洲电磁导轨炮 在法国武器装备总署（DGA）主办的2017年度“法国武器装备总署创新”论坛上，法德圣路易斯研究所披露了全功能车载电......
新型双晶相玻璃。近日福建师范大学通过玻璃原位晶化法制备了一种含有Tm:NaYbF4上转换纳米晶(UCNCs)和CsPbBr3钙钛矿纳米晶(PeNCs)......
本文从单晶体应力-应变关系的精确实验结果和多晶体滑移特性出发,建立相应的计算模型,并采用微观力学和晶体弹塑性有限单元法,研究......
一、前言 减振合金是减少机械或结构件的振动和噪音的金属材料的总称。减振合金的出现。改变了过去减振或降噪的设计思想,因此,减......
日本科学技术厅金属材料研究所对于TiAl金属间化合物的研究获得进展,最近发现含钛稍过剩的“Ti-49.5tool％Al金属化合物”在高温下......
本文采用直流电弧等离子体喷射法制备金刚石薄膜,对其进行了拉曼光谱及扫描电镜分析.并介绍了几种实验中常见的晶形.最后对金刚石......
Deformation behaviors of bicrystalline and nano-polycrystalline structures of various tilt angles and inclination angles......
好仪器选双晶实用技术专利号:ZL201130032463.3★选择好仪器理由多多※双晶仪器采用1600万色真彩触摸屏,与天平连接,数据自动输入......
香花石(Ca3Li2[BeSiO4]3F2,I213)是1958年在中国发现的第一个新矿物,它在地球上产出非常稀少.近年来对香花石的研究报道也很少.本......
传统的紫外线曝光难以制备微桥宽度不超过1微米的双晶约瑟夫森结.我们利用电子束曝光技术制备了纳米级别(几百纳米)桥宽YBa_2Cu_3O......
用ＩＣＢ外延技术在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣｄＴｅ单晶薄膜．Ｘ光衍射、电子背散射通道及ＲＨＥＥＤ都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面．外延取向关系为ＣｄＴｅ（１００）／ＮａＣｌ（１００）和ＣｄＴｅ（１１１）／Ｓｉ（１１１）．实验发现，生......
本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测量三个衍射，并考虑了晶体表......
作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力......
本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射......
利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质......
本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所......
应用Ｘ－射线双晶衍射对磁控溅射法制备的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）／ＳｒＴｉＯ_３超导外延膜和衬底之间的位向关系以及晶体完整性的研究，表明衬底和外延在相应的衍射面之间......
在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线......
在本文，我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层（x～0．01），有效地限制了50周期的In0.3Ga0．7As／GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错，X射线双晶......
用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ（ｘ＝０．４７６～０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光（ＰＬ）测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ￣２／Ｖ．ｓ（浓度为１．４×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３））。载流子浓度随生长温度升......
本文给出了分析ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变异质结中应变分布和弯曲的力学模型．该模型将外延层和衬底中的应变分为失配应变和弯曲应变，在假设整个异质结构均......
利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶Ｘ射线衍射和电化学电容－电压分布测......
本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射......
我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片......
5.蓝宝石在高温下的性能蓝宝石是市场上出售的一种最耐用的红外窗口材料。它只限于在中波区工作,在高温(>500℃)时,它在4-5μm区......
在晶界夹角为２４°的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２人工双晶基片上制备高温超导双晶Ｇｄ－Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜，用光刻技术在晶界上刻出１０×１０ｍ２的双晶晶界结，它与外电路一起构成光探测器。在８０Ｋ用......
本文分析了透射式ＧａＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响．用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和......
给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征......
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单......
１０００℃下用Ｓｉ２Ｈ６和Ｃ２Ｈ４在Ｓｉ（１００）面上用气源分子束外延进行了ＳｉＣ的生长，Ｘ射线双晶衍射和ＨＲＥＥＤ表明外延层为３Ｃ－ＳｉＣ单晶；俄歇电子谱分析其中的Ｓｉ／Ｃ约为１．６．用Ｎｏ－ｍａｒｓｋｉ光学显微镜观察，其表面存......
我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长．采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外......
[本刊讯 ] 宽能带隙ＳｉＣ属于第三代半导体材料。ＳｉＣ器件具有比硅器件或ＧａＡｓ器件更为突出的优点 ,诸如更高工作频率 ,更大的功率 ,更高的工作......
天然和实验冲击球粒陨石矿物的变形变质比较研究谢先德陈鸣戴诚达（中国科学院广州地球化学研究所，广州５１０６４０）Ａ．Ｅｌ．Ｇｏｒｅｓｙ（Ｍａｘ－ＰｌａｎｃｋＩｎｓｔｉｔｕｔｆｕｒＫｅｒｎｐｈｙｓｉｋ，６９０２９Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇ，Ｇｅｒｍａｎｙ）关键...
A Comparative Study......
村田制作所采用压电陶瓷双晶片式振子 ,开发了结构简单的、用于汽车导航的压电振动陀螺。其性能指标如下 :工作电压 (dc) :5 V± 0......
采用 MOCVD方法 ,利用二甲基肼为氮源 ,进行了 Ga NAs材料的生长 .利用高分辨 X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的......
采用MOCVD技术在Al2O3（0001）衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品。实验......
当我们拿起一块矿物进行识别时,首先看到的是矿物的颜色、形态……等外表特征。各种不同的矿物有不同的物理性质,懂一定地质知识......
对Bi在Cu双晶中的晶界偏聚实验观察结果进行分析。利用平衡晶界偏聚(EGS)模型和非平衡晶界偏聚(NGS)模型,分别对500°C时Bi在Cu双......
