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氮化硅淀积技术的新进展,导致金属-氮化物-氧化物-硅(MNOS)集成电路工艺的出现,成为现有MOS工艺的另一选择和补充方案。有人提出将......
一种具有J—K触发器反馈电路和最大工作速度为12MC的可编程序逻辑阵列(PLA)已被设计成功,它是利用绝缘衬底上外延硅薄膜技术(ESFI)......
本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并......
介绍一种军用专用集成电路的核心器件──ＭＮＯＳ管。存贮栅是该存贮管的制作关键，存贮栅由薄二氧化硅层和氮化硅复合膜组成。着重论述了复......
电荷耦合器件(Change-coupled devices,CCD)是一种全固体自扫描摄像器件,因其具有体积小、图像畸变小、无残像和寿命长等优点,因而......
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器发展史上的各种铷ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。......
<正> 上海新进半导体制造有限公司为双极集成电路代工公司(foundry),成立两年多来,已成功地开发出2.0μm 18V/36V 及4μm 20V/40V ......
The γ-ray radiation will speed up the discharge of the stored charge in nonvolatile MNOS structure. The radiation absor......
