MOCVD法相关论文
采用MOCVD法在不锈钢管表面成功制备了Al203涂层，该涂层连续、致密，厚度约为300nm。在连续流动反应装置上研究了涂层前后不锈钢......
该研究采用自制的MOCVD设备,通过对MOCVD反应室结构的改进,系统研究了MOCVD技术制备薄膜的工艺、沉积膜的组织结构,并重点研究了膜......
宽禁带半导体GaN及其合金材料在短波长发光器件、短波长激光器以及高温、大功率、高频电子器件等方面有着广泛的应用前景。由于GaN......
以YBa2Cu3O7-δ(YBCO)为代表的第二代高温超导带材具有交流损耗小、不可逆场高、电流承载能力强等优点,在能源、电力、国防装备等......
实现高超音速飞行需要解决推动力和热障两大难题。吸热燃料既可通过燃烧提供动力，又可作为冷却剂满足冷却要求，具有巨大的应用前景。......
Zn_(1-x)Mg_xO是一种新型Ⅱ一Ⅵ族宽禁带三元化合物半导体材料。在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点。这种材料......
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的......
以Fe(CO)5为物源,在常压喷动流化反应器中,以金属有机化学气相沉积(MOCVD)法对云母粉进行包覆,制备铁系-云母珠光颜料.实验结果表......
采用MOCVD法制备纳米固体材料,用现代分析测试技术确定纳米固体的结构并探索纳米固体的特异性能是纳米固体材料研究最重要的内容之......
主要概述了用MOCVD法制备金属铱涂层的原理以及工艺参数对制备涂层的影响,并对铱做保护层的铱/铼喷管的寿命进行了预测.指出MOCVD......
LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的......
<正> 一、引言金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金......
研究了在常压喷动流化反应器中,以金属有机化学气相沉积(MOCYD)法制备双包覆层珠光颜料的工艺.实验结果表明:以Ti(OC2H5)4为物源,......
