采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响。研究结果表......

用直流磁控溅射方法制备的纳米Ge颗粒膜.通过XRD表征和LRS谱分析,发现沉积态颗粒膜主要为无定形态的Ge团簇,同时在溅射沉积过程中......

应用Ｒａｍａｎ散射谱研究超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层应力弛豫的影响。Ｒａｍａｎ散射的峰位不位与Ｇｅ组分有关，而且与其......

采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结......

通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外......

光电功能晶体是现代高新技术的关键材料。当前，光电子技术迅猛发展，信息的主要载体也由电子转向光子。依赖光电功能材料来实现光子和......