SIC单晶相关论文
进入21世纪后，宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速，SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）先后进入商品化，在电动汽车......
SiC单晶以其优良的材料特性,在航空航天、大功率器件等领域的应用越来越广泛。但是,由于SiC单晶的硬度极高、脆性大,对其切削加工......
随着半导体技术的快速发展,碳化硅（SiC）凭借特有的禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高等优良特性,使其成为制造高温、高频、大功率......
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SiC陶瓷作为结构功能一体化材料,广泛应用于高温结构陶瓷组件,半导体器件和金属基复合材料。在这些应用中,经常涉及到熔融金属在Si......
碳化硅(SiC)单晶以其耐高温、导热性强、高电子饱和漂移率、低介电常数、抗冲击强和硬度高等特点,成为诸多环境复杂和条件要求苛刻......
随着社会的不断发展，硬脆性材料的应用日益广泛。在脆性材料的切割方法中，金刚石线锯切割技术以其较高的切片表面质量、锯缝窄、对环......
使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性．SiC单晶体由化学气相淀积法获得．六方｛1015｝极图证明了该单晶结构为6H型．三......
利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱.在Raman光谱中,最大强度的FTA模和FTO模应出现在其简约波矢x等于该多......
利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通......
超声线锯切割SiC单晶时,金刚石线锯的成本仅次于SiC单晶材料本身的成本。建立了超声辅助切割SiC单晶时线锯受力模型,对线锯受力和......
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关,在SiCLED技术路线方面中涉及的核心技术,如SiC单晶底、外延、芯片和灯具......
采用有限元分析方法对物理气相传输法SiC单晶生长炉内温度场进行研究，采用有限元模拟软件对生长炉内温度分布进行模拟，得到了炉内温......
Si C单晶具有良好的物理和机械性能,广泛应用于大功率器件和集成电路行业,但因高的硬度和脆性,使其切割、研磨和抛光加工过程成为......
利用Virtual Reactor模拟软件研究了大直径SiC晶体生长中坩埚在感应线圈内不同位置对坩埚内整体温度场、生长腔以及料源内温度场的......
介绍了碳化硅（SiC）材料的结构和特性,分析了SiC材料的应用领域及发展趋势,研究了其单晶衬底精密加工技术,该研究对提高SiC单晶衬底加......
4宽禁带半导体功率器件的发展背景宽禁带半导体功率器件的发展是在宽禁带半导体材料发展的基础上发展起来的,其迅速发展的主要原因......
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空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产......
碳化硅(SiC)单晶作为第三代主要的半导体晶体材料,以其独特的大禁带宽度、高击穿场强、高饱和电子漂移率、高热导率、强抗辐射能力......
目前半导体材料主要以Si和GaAs为主,由于它们在高温条件下一些性能不佳,使得以SiC为代表的第三代半导体材料得到了广泛的关注,SiC......
利用激光拉曼光谱仪测量了SiC单晶中不同多型的显微Raman光谱.在Raman光谱中,最大强度的FTA模和FTO模应出现在其简约波矢x等于该多......
我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-......
针对单晶SiC切割过程切割效率低,加工表面粗糙度和表面不平度差以及线锯磨损和断裂严重等问题,提出采用线锯横向施加超声振动的方......
为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺。实验表明,超声波辅助研......
SiC因其优良的物理机械性能而广泛应用于大功率器件以及IC领域。但其高的硬度和脆性导致其加工过程非常困难。本文分析了SiC单晶在......
SiC单晶化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,广泛用于大功率器件产业。但由于其材料的硬度很大,加工非常困难。......
本文以升华法实现了以（1015）面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶。采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现......
使用升华法生长碳化硅(SiC)单晶,借助数值模拟方法优化温场,在不同条件下分别获得单一晶型的4H-SiC和6H-SiC单晶,利用拉曼光谱进行......
随着大规模集成电路以及微电子、光电子技术的迅速发展,SiC单晶等半导体材料的应用日益广泛。技术的飞速发展不但要求SiC单晶基片......
SiC作为新一代半导体材料被广泛用于LED、高功率器件和空间反射镜。针对目前对SiC化学机械抛光（CMP）加工的去除机理不深入的问题，本论......
SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料,其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点,突出表现为加工效率低、表面质量不稳......
SiC单晶具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和电子漂移速度、高热导率、强抗辐射能力和低介电常数等优良的电学和物理化学特性,......
SiC单晶具有优良的材料特性,目前广泛应用在大功率、高频功率器件,如涡轮发动机组件、光学器件、太空望远镜等工业产品。由于SiC单......
SiC单晶是继Si和GaAs后发展起来的第三代宽带隙半导体材料,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿场强、抗干扰能力强、化学性质稳定等......
为了实现对碳化硅单晶（Si C）线锯切片亚表面微裂纹损伤深度快速计算与非破坏性分析,基于Si C单晶锯切加工脆性模式的材料去除机理,选......
针对碳化硅(SiC)单晶硬度高、脆性大,金刚石线锯切片时工具磨损快、切割效率低、晶片表面亚表面易出现微破碎损伤,使SiC单晶高质量......
