SIC纳米线相关论文
分别采用氯化钴、乙酸镍、氯化铁和氯化钴-乙酸镍、氯化铁-乙酸镍、氯化铁-氯化钴作为单一金属催化剂和双金属催化剂，以硅树脂RSN-2......
碳/碳（C/C）复合材料的氧化敏感性是制约其作为高温结构材料使用的瓶颈问题,抗氧化涂层是解决该问题的有效手段,而SiC涂层是目前最常......
碳化硅纳米线(SiC nanowires,SiCNWs)由于其高比表面积,丰富的堆垛层错,孪生界面和可调节的电导率,并且在基质中形成导电网络具有......
在铝基体中加入增强体可以大幅度提高其强度,但是不可避免地导致塑性的劣化。因而获得强度和塑性同步提升的铝基复合材料一直以来......
SiC陶瓷本身具有密度低、热导率高、热膨胀系数小、常高温力学性能好等一系列优异特性,被广泛应用于航空航天、空间光学、微电子、......
本工作采用激光溅射沉积(PLD)和激光辅助热丝化学气相沉积(HFCVD)两种实验技术制备了SiC薄膜，并对薄膜特性进行了研究。用扫描电镜(......
随着空天飞行器的不断发展，传统的防热材料已不能满足防/隔热一体化技术的要求，亟需新型轻质防/隔热一体化材料解决传统隔热瓦脆性问......
SiC_f/SiC复合材料具有低密度、高比强度、高比模量、耐高温、耐腐蚀和低中子辐射诱导活性等诸多优异性能,在航空航天、核聚变反应......
本文以高能球磨后的C、Si纳米粉末为原料,在900~1450℃反应合成了βSiC纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱分析(EDS)、X......
制备耐高温一维纳米材料，探索其合成方法、调控机制，实现对纳米结构的调控大量制备，对深入研究材料结构与性能的关系，和耐高温一维纳米......
炭/炭(C/C)复合材料具有优异的高温性能，已广泛应用于航空航天领域，然而C/C复合材料在高温有氧环境中容易发生氧化，导致其力学性能急......
一维纳米材料的制备及性能研究是当今凝聚态物理、材料科学等领域研究的热点,也是最前沿的领域之一。SiC纳米线作为一种一维纳米材......
用射频磁控溅射法在石英片上溅射SiC膜,然后在氮气气氛下1150℃退火3h后,在石英衬底上生长出SiC纳米线。用x射线衍射(XRD)、扫描电......
不加金属催化剂,以碱木素酚醛树脂( LPF)和硅粉作为原料在低温条件下合成SiC纳米线。利用SEM、TEM、XRD表征样品的形貌及显微结构,......
应用微波等离子体化学气相沉积方法 ,在单晶Si(10 0 )衬底上生长出SiC纳米线 .应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱 (......
在无催化剂条件下,以CH3SiCl3为前驱体,采用化学气相沉积技术（CVD）在C/C复合材料表面制备SiC纳米线。SEM形貌表明：CVD产物有大量数十......
采用聚合物先驱体热解技术，以聚合物先驱体-聚碳硅烷（Polycarbosilane，PCS）为原料，在催化剂辅助作用下，于1200℃热解制备出超长碳化硅（SiC......
实验以SiC纳米线为增强剂,利用回流法将偶联剂KH-550嫁接在SiC表面,进而使SiC粒子更好地分散在环氧树脂中.通过对复合材料拉伸强度......
为了提高碳/碳（C/C）复合材料的抗氧化性能,通过两步法在基体表面制备了具有自愈合能力的纯SiC涂层.首先,通过高含氢硅油（H-PSO）的高温......
采用碳热还原法合成了纯度较高的单晶SiC纳米线,并对其光催化性能进行了研究。以罗丹明B为目标降解物,20 W紫外灯（λ=253.7 nm）为光......
为了提升C/C复合材料表面SiC涂层的韧性及其与基体的结合强度，以三氯甲基硅烷为前驱体，采用常压化学气相沉积法在C/C复合材料表面制......
随着SiC纳米线制备技术的日益成熟,其在场发射、光催化、电学和光学材料领域有着广阔的应用前景和发展潜力,也可作为多种结构材料......
以毛竹为原材料，在1000℃碳化后制得竹炭生物模板，采用气相SiO碳热还原反应在生物模板表面制备了SiC纳米线，利用XRD、SEM和TEM等测试......
对含有几种典型界面结构和SiC纳米线的CVI—SiC／SiC复合材料的弯曲性能和断裂韧性进行了比较研究．研究表明：界面涂层对SiC／SiC的力学性......
采用国产炭素墨水与少量硅微粉混合的液体充分浸渍聚丙烯腈（PAN）基碳毡并烘干后,在1450℃、真空条件下与硅微粉的气相产物发生碳热还......
通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅（SiCl4）、苯甲醛（PhCHO）、烷基胺（RNH2）、三氯化硼（BCl3）为原料，通过有机-无机裂解转化制备了SiBONC陶......
连续碳纤维增强陶瓷基复合材料(CFRCMC)是一种理想的热防护材料,相对于传统的脆性陶瓷隔热瓦材料,它具有高孔隙率、低密度、强韧化......
SiBCN陶瓷由于具有较好的耐高温性和抗氧化性,是有着良好应用前景的一种防热材料。由于SiBCN陶瓷具备一般陶瓷材料普遍都具有的脆......
涂层技术是碳/碳（C/C）复合材料高温有氧环境长时间应用的前提。硅基陶瓷（如Si C）在高温（低于1600°C）静态空气中氧化可形成SiO2玻璃层,是......
碳化硅纳米线（SiCNW）具有十分优异的物理化学性能,如突出的耐高温性能、独特的力学性能,一直是人们的研究热点。SiC纳米线（SiCNW）在多......
为了提高C/C复合材料高温抗氧化性能,依次采用前驱体浸渍裂解、反应熔体浸渗和浆料涂刷工艺在C/C复合材料表面制得HfB 2-WB2-Si/Si......
高温易氧化和烧蚀是碳/碳（C/C）复合材料作为高温热结构材料使用的瓶颈问题,防氧化抗烧蚀涂层技术是解决该难题的有效手段。其中,硅基......
随着现代科学技术的发展,对结构材料提出了更加苛刻的要求。纳米金属基复合材料由于具有远高于微米复合材料的强化效率,成为理想的......
继铍、玻璃、铝合金和微晶玻璃等光学材料之后,成本低廉、性能稳定的碳化硅基复合材料成为空间反射镜的候选材料。然而,碳化硅陶瓷......
以单晶SiC纳米线作为增强体,碳化硅-碳为陶瓷基体,在1550℃下,采用反应烧结制备碳化硅基陶瓷复合材料(SiCnf/SiC)。结合X射线衍射......
制备耐高温一维纳米材料,探索其合成方法、调控机制,实现对纳米结构的调控大量制备,对深入研究材料结构与性能的关系,和耐高温一维......
发展强度高、韧性大、具有优异生物学性能的齿科复合材料已成为齿科修复材料研究的焦点问题。Si C纳米线因其具有稳定的物理、化学......
制备出陶瓷产率高,使用方便,元素组成合理,成本较低的先驱体一直是SiC先驱体技术发展的方向。聚甲基硅烷（Polymethylsilane,PMS）具有......
第三代宽带隙半导体SiC材料以其大的禁带宽度,高的熔点和硬度、高的热导率、高的临界击穿电场、高的电子饱和迁移率、抗辐射能力强......
3C-SiC半导体材料具有理想的带隙（Eg=2.39 eV）和高的物理化学稳定性,是理想的新型光电催化分解水制氢材料之一,受到了不少科研工作者......
采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FES......
碳化硅(SiC)作为典型宽禁带的第三代半导体材料,由于其在高频、高温、抗辐射及极端环境中的良好性能,而引起了极大的关注。纳米材......
泡沫陶瓷因具有独特的孔隙结构和优异的耐高温性能广泛用于熔融金属过滤、催化剂载体、生物功能材料和吸声隔音材料等领域。本文针......
闪锌矿结构碳化硅(SiC)材料具有合适的带隙、高的物理化学稳定性，耐酸碱腐蚀，且其导带的氧化-还原电位较负，光生电子的还原能力强，是一......
宽带隙半导体SiC一维纳米材料,在力学、电化学、光学及光催化等方面具有优异的性能,由此延伸的应用前景已经引起人们的广泛关注,现......
