场致电子发射相关论文
电子在半导体沟道内的输运难免产生碰撞和散射,限制了迁移速度、带来了能量耗散,是需要利用新概念和新工艺解决的瓶颈问题。通过制......
以聚酰亚胺薄膜为靶子,用高电导硅作为衬底,KrF准分子激光器作为辐射光源,利用脉冲激光沉积技术制备出了类石墨薄膜,并以该薄膜为......
利用脉冲激光沉积技术制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,并观察到其场发射阈值场强(4V/μm)比类金刚石薄膜(......
相较于常见的金属氧化物场发射体材料(如:氧化锌、氧化铁以及氧化铜等)多晶硫化铜作为一种窄带隙(1.1-2.74 eV),电子传输特性较好......
TiO2纳米管阵列结构具有较低的功函数（4.5eV），有长径比大和末端曲率半径小的几何特征，且制备工艺简便、成本低，可作为一类很有研发前途......
有机薄膜电致发光器件(OLED)由于具有驱动电压低、发光亮度和发光效率高、全固化主动发光、视角宽、响应速度快等优点,近年来在显......
本论文首先对不同催化剂在高温热解二茂铁／二甲苯前驱液制备碳纳米管过程中的催化性能进行了研究。在此实验基础上选用氯化铵释放出......
作为一种典型的近藤拓扑绝缘体,近年来六硼化钐(SmB6)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注.与块体材料相比,SmB6......
近年来，对场致电子发射器件的研究主要趋向于实现大面积制备、低电压驱动、易实现器件集成等方面。因此，对场发射阴极材料及器件制作......
场致电子发射冷阴极电子源在真空电子器件中有着重要的应用前景。一维氧化锌纳米材料有望成为一种比较理想的冷阴极材料，因此受到了......
本论文以ZnO材料为研究对像,以化学气相沉积(CVD)为实验手段,分别对一维ZnO材料的六角截面形成机理、场致电子发射性能和p型薄膜掺......
碳纳米管薄膜因为具有优异的场致电子发射特性而被广泛研究并应用于场致电子发射冷阴极器件中。 本论文首先综述了场致电子发射......
场发射冷阴极在真空微电子器件中有广泛应用。具有高长径比的准一维纳米材料是场发射冷阴极材料的研究热点。本论文从场发射冷阴极......
基于场致电子发射原理制作的冷阴极X射线管跟传统的热阴极X射线管相比较，具有能耗低、尺寸小、容易聚焦、反应速度快等优点。随着X......
碳纳米尖端具有独特的结构、优良的力学和电学性能，在光电子器件、微电子器件等领域中有着巨大的应用前景。然而，通过适当的掺杂能改......
近年来 ，国内外不断有实验和理论研究表明，金刚石薄膜特别是纳米晶金刚石薄膜，在低的开启电压作用下，即可获得很高的场致发射电流密度，......
自从20世纪80年代第一块FED显示器样机研制成功以来,场发射技术获得了快速的发展,很多关键技术获得了突破,但这些突破主要集中在阴......
本文分别采用直流磁控溅射技术和微波等离子体增强化学气相沉积(MPCVD)技术在镀钛氧化铝陶瓷衬底上制备了氮化碳薄膜，并研究了样品......
该论文较系统地研究了带控制栅极碳纳米管场致电子发射器件结构的制作技术及相关科学问题.论文首先用计算机软件对闭合空间中的器......
碳化硅材料具有宽能带结构，高熔点，优秀的热稳定性和化学稳定性等性质，被广泛应用于大功率器件。碳化硅准一维纳米材料具有可以与......
本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPECVD)方法，制备出高密度(108个/cm2)的尖锥顶端覆盖有碳化硅(SiC)颗粒的硅纳米尖锥阵列，纳米......
场致电子发射冷阴极电子源，可应用于各类利用阴极电子源的器件，具有广泛的应用前景。新型准一维纳米结构材料有望成为比较理想的冷阴......
随着碳纳米管的发现，基于丝网印刷厚膜技术的碳纳米管场致发射显示器件成为目前平板显示领域的研究热点。器件性能提高的关键是碳纳......
氧化钨是一种重要的功能材料，以氧化钨薄膜为核心的器件已经在电致变色、气致变色和气体传感器等领域得到了广泛应用。由于氧化钨纳......
一维纳米材料如纳米线、纳米管等的特殊结构所带来的高的长径比能够使其具有高的电场增强因子，使其场致电子发射特性受到关注。近十......
本文对准一维硅纳米线微区场致电子发射特性和氧化钨系列纳米结构的功函数及相关的能带结构进行了表征。主要工作包括以下两部分。......
新型低维结构冷阴极材料在场发射平板显示器等真空微电子器件中有广泛的应用前景,因而受到人们的重视.该博士论文首先综述了场致电......
纳米材料由于和体材料相比,具有许多独特的性质,如表面效应、小尺寸效应和量子效应,从而表现出许多独特的性能和诱人的前景,其中纳......
碳纳米管具有许多优秀的特性，其中场致电子发射特性一直吸引着大量实验和理论研究的兴趣。优越的场致电子发射特性使碳纳米管具有广......
本论文应用紧束缚近似方法研究了碳纳米管的Peierls相变、磁场下碳管的场电子发射以及碳管闭口端和有限长度对碳纳米管场发射性能......
本论文围绕碳纳米管本征场致电子发射特性和真空击穿启动机制这两个主题开展研究工作。前者重点探索理想的单壁碳纳米管的场发射特......
碳纳米管薄膜冷阴极发光管在超大屏幕显示等方面有广泛的应用前景，因而受到人们的重视。 本博士论文首先综述了场致电子发射理论......
一维纳米材料(如碳纳米管和宽带隙半导体纳米线)已经被实验证实具有优异的场致电子发射性能，有广泛的应用前景。但人们对它们的场发......
准一维冷阴极纳米材料场发射在小型微波器件和场致发射平板显示器等真空微电子器件中有应用前景。因此,它成为目前纳米材料应用领......
水热法制备ZnO纳米线的场发射特性研究是目前真空微纳电子领域的一个热点课题。主要原因之一是采用水热法可以在玻璃和金属等不同......
对比研究了真空中交流电压下采用和未采用真空溅射金属电极的氧化铝陶瓷材料,在沿面闪络发生前不同的表面发光特性.基于固体的能带......
利用微波等离子体增强化学气相沉积技术制备出了CNx 薄膜 ,并利用x射线光电子能谱、x射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱等测试......
不同剂量的N离子被注入到化学气相沉积金刚石膜内 ,研究了表面结构及场发射特性的变化 .Raman谱和x射线光电子能谱分析表明 ,N离子......
不同剂量的N离子被注入到化学气相沉积金刚石膜内,研究了表面结构及场发射特性的变化.Raman谱和x射线光电子能谱分析表明,N离子的......
利用微波等离子体化学气相沉积法,在覆盖金属钛层的陶瓷衬底上制备出类球状微米金刚石聚晶膜,后对膜的表面进行氮离子的注入.通过......
利用脉冲激光沉积 (PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜 ,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜 (SEM )及Raman......
采用射频磁控溅射方法在纯N2气氛中沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900 ℃.对高温退火引起的CNx薄膜化学成分、键合结构及......
利用电化学方法在室温下成功地沉积了类金刚石(DLC)薄膜和非晶CNx薄膜,并对制备条件进行了讨论.通过扫描电子显微镜、傅里叶变换红......
采用丝网印刷技术制备四针状氧化锌（tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,T-ZnO）场发射阴极,通过向T-ZnO阴极表面电泳沉积碳纳米......
利用丝网印刷的方法制备了一种基于氧化锌发射体的三极结构场致发射背光源器件．当栅极电压达到570 V时，阳极场发射电流密度达到0.62 ......
