Si3N4薄膜相关论文
采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果......
由于铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池近年来发展迅速,本文研究背电极中阻Na层,背电极层,硒化阻挡层,过渡层等各层薄膜结构,并研究背......
为了获得高品质的带有Si3N4薄膜三层（玻璃—硅—玻璃）的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采......
Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下，栅介质SiO2膜厚度100nm，MOS电容器存储时间420s。在50Pa真空压力下，通过......
MEMS器件封装时,为了给具有活动装置的MEMS器件提供足够的空间,需要在封装的帽层上刻蚀出V形腔结构.本文利用V形槽工艺,制作出适合......
应用人工神经网络建立了激光-等离子体辅助化学气相沉积(LPCVD)工艺参数与Si3N4薄膜显微硬度的关系.并运用遗传算法优化出了最佳工......
本文采用PCVD法在4Cr13不锈钢基体上沉淀Si3N4纳米陶瓷，提高不锈钢的耐磨性和使用寿命。经过一系列的试验以及性能检测，得出结论是：Si......
采用先驱体转化法在C/C复合材料基底表面制备了厚度为3~5μm的SiC薄膜和Si3N4薄膜;用球-盘对磨的方式测试了C/C复合材料基底、SiC......
采用热分解法在硅衬底上制备了si3N4薄膜.根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系.分......
利用射频磁控反应溅射法,以高纯S i为靶材,高纯N2气为反应气体,在S i衬底上制备出了S i3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响......
