磁控反应溅射相关论文
采用射频磁控反应溅射技术, 在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品。采用椭偏光谱和紫外-可见光透射光谱测试分析技......
Aluminium nitride AlN(100) thin films have been successfully deposited on Si(111) substrates by reactive magnetron sputt......
微电子工业迅速发展，半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料已不能满足技术发展的要求。因此，需要寻......
本文首先对气相沉积硬质薄膜(镀层)的发展以及TiN系列超硬薄膜的结构、性能和应用进行了综合描述，并分析了TiAlN薄膜相对与其它TiN......
无线通信技术的迅速发展，对射频终端滤波器性能提出了新的挑战。与传统的介质滤波器和表声波滤波器相比，薄膜腔声谐振器滤波器因其工......
二氧化钛(TiO2)是一种新型半导体材料,在光催化、太阳能电池和电学器件等领域有重要的应用前景,成为目前国际学术界关注的一个重点......
Al2O3薄膜具有许多优良特性,如宽禁带、高介电常数、高硬度、耐磨性好等,集光、电、机械性能于一体,具有非常广阔的应用前景,广泛......
自旋电子学是致力于同时操控电子的电荷自由度和自旋自由度的新兴科学。在众多的自旋电子器件候选材料中，由于稀磁半导体具有着较高......
磁存储技术由于其不易丢失数据等优点,已经成为最经济的数据存储技术并得到广泛的应用。最近,随着巨磁阻读写磁头（giant magneto-re......
采用高真空直流磁控反应溅射成功地在５种基片上制备出多晶择优取向的ＡｌＮ薄膜。结果表明，５种基片均可生长（１００）面择优取向的ＡｌＮ薄膜，并且具有良好的......
用磁控反应溅射法在玻璃和钼片衬底上制备VOx/TiOx/Ti多层薄膜。用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体......
利用射频磁控反应溅射法 ,以 Ar,CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了 Gex C1- x薄膜 ,用干涉法测量了薄膜的厚度 ,对......
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子谱 ......
本文利用孪生靶50 kHz中频磁控反应溅射的方法,在多孔阳极层离子束源产生的低温离子束辅助条件下制备了光学性能良好的氧化钛薄膜.......
利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来......
氮掺杂二氧化钛的光催化活性能够被可见光激活,从而大大提高其对太阳光能的利用效率.为了解决材料晶化与氮掺杂在晶化过程中损失这......
在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度......
阐述了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的机理;探讨了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的理论模型,给出了渐变折射率薄膜的折射......
采用射频磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品.采用椭偏光谱和紫外一可见光透射光谱测试分析技术......
在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜。X射线衍射图谱表明......
用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,在白宝石上制备SiO2薄膜.对影响薄膜生长的工艺参数进行了分析,测试了薄......
采用直流磁控反应溅射法，在玻璃和石英基体上制备了TiO2薄膜．在氧气流速超过阈值的条件下溅射，能够得到均匀透明的TiO2薄膜．在玻璃和石......
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、......
用密度泛涵理论(DFT)的B3LYP方法在6-31G^*水平上对AlmN^+(m=3—9)团簇的几何构型、电子结构、振动频率等性质进行了理论研究，通过......
采用射频磁控反应溅射法，以高纯热压HfO2陶瓷为靶材，在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律，并......
磁控反应溅射制备了AgOx掩膜,用聚焦激光热效应装置测得的光透过特性,分析了AgOx掩膜的开关性能.结果表明,AgOx掩膜在较低的温度作......
以硅单晶为靶材,高纯的Ar和O2气分别为溅射气体和反应气体,采用射频磁控反应溅射法,在蓝宝石衬底上制备了SiO2薄膜,溅射的工艺参数......
用磁控反应溅射(RF)的方法制备了SiNx薄膜.分析了以硅为靶材,用N2/Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜......
运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N2^＊第一正系B^3Πg→A^3Σ＋u,N......
采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜。通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频......
利用磁控反应溅射法,以Al为靶材,在Ar/O2气体环境中,在Si衬底上制备出了Al2O3薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明,......
采用射频磁控反应溅射技术，在不同的Ar：O2条件下制备Er2O3薄膜，然后把样品分别在600、700和800℃退火60min，研究分析了Ar：O2比例和退火......
用磁控反应溅射法制备出具有红外敏感特性的氧化钒薄膜,进行了薄膜光电特性的测试.通过AFM和XRD对薄膜的结构和特性进行分析研究,......
为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜.探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理.对SnO2薄膜的电阻和......
采用射频磁控反应溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出Si3N4薄膜.利用XPS和FTIR分析了所制备薄膜的成分和结构,讨论了工艺参数对沉积速......
本文采用磁控反应溅射技术在304不锈钢基材表面分别制备了多种氮化物涂层(TiN涂层、TiAlN涂层、TiAl SiN涂层及不同Ag含量的TiAlAg......
以铜和镍铬合金为靶材，用磁迭反应溅射法制备具有干涉效应的Ｎｉ－Ｃｒ选择性吸收薄膜，用ＡＥＳ，ＴＥＭ研究薄膜的结构和组成。结果表明，薄膜由１０ｎｍ大小的颗粒组成......
不锈钢箔片上溅射沉积25nm的钛底膜后,在工作真空0.9Pa,O2、Ar分压比1∶6,基体温度270～280℃的条件下,用直流磁控反应溅射法制备了......
应用直流磁控反应溅射法，在玻璃基体上制备了具有光催化活性的TiO2薄膜。TiO2薄膜的厚度随沉积时间的增加而均匀增长。基体温度则在......
采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar：O2比例和退火温度对样品的结构、成份和介电性能的影响。XRD、XP......
研究了反应气体流量对磁控反应溅射ＮｉＣｒＯｘ薄膜成分和光学常数的影响，在反应溅射过程中，ＮｉＣｒ靶随着Ｏ２流量的增大出现毒化现象，在不同氧流量条件下可......
比较了磁控反应溅射(RMS)法与离子束反应溅射(RIBS)法沉积得到的氧化硅薄膜的光学特性,并确定了其对折射率n、消光系数k、沉积速率......
采用混合靶直流磁控反应溅射法,在玻璃基体上溅射沉积了含有氧化钇的TiO2薄膜。X-射线光电子能谱分析结果表明,薄膜是由Y2O3和TiO2......
用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜。沉积过程在氧气、氮气和氩气的气氛中进行,衬底为多光谱ZnS,沉积温度为室温......
薄膜体声波谐振器(TFBAR)作为制作中心频率在900MHz到3GHz的射频带通滤波器的一种解决方案,显示了广阔的应用前景。基于TFBAR的滤......
SnO2是一种宽带隙n型半导体材料,室温下能隙宽度为3.67eV,有良好的化学稳定性、光学各向异性等特点。SnO2薄膜由于具有对可见光透......
利用射频磁控反应溅射法,以高纯S i为靶材,高纯N2气为反应气体,在S i衬底上制备出了S i3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响......
采用射频磁控反应溅射法，以高纯Si为靶材，高纯N2气为反应气体，在蓝宝石和硅衬底上制备了氮化硅薄膜。并对Si3N4薄膜的沉积速率、成分......
