SrTiO3薄膜相关论文
钛酸锶（SrTiO3）多孔薄膜因其大比表面积、低成本和可回收再利用等优势在光催化、吸附领域受到了广泛的关注,但目前仍存在对可见光利......
铁电薄膜由于其在集成电路和其它功能器件中的应用，受到了越来越多的关注。在这些应用中，制备集成铁电薄膜优质的缓冲层薄膜和底电极......
SrTiO3是一种典型的钙钛矿型结构材料,具有介电常数高、介质损耗低、良好的化学热稳定性和优异的绝缘性能,被广泛应用于微电子器件......
随着现代社会的发展，日益严峻的能源危机和环境问题迫使人们开发新的能量转换技术来解决这一问题。热电材料可以直接将热能转化为电......
紧密的 Al2O3薄膜是经过铝电极下的阳极化过程制造的，它作为溶胶凝胶法制得的SrTiO3薄膜电容器的一层绝缘层。与没有阳极化处理过的......
采用ISG工艺,在氧化铝陶瓷基片上合成SrTiO3陶瓷薄膜,研究了溶胶性能和溶胶-凝胶的晶化过程,分析了薄膜的形成及结构.结果表明,SrO......
利用氩离子束镀膜技术在SiO2 /Si衬底上淀积钛酸锶 (SrTiO3)膜 ,并制成平面型电阻器 .结果表明 :在实验温区 (2 8～ 150℃ )内 ,SrTi......
在激光分子束外延(LMBE)生长SrTiO3(STO)薄膜过程中,激光闪蒸出的Sr,Ti,O原子的微观反应过程及粒子形态是STO薄膜生长初期形成的关......
拥有众多优良性能的SrTiO3薄膜已经受到了人们的广泛关注。本文首先对SrTiO3薄膜的性质和应用进行了简单介绍，然后从物理和化学两大......
采用溶胶-凝胶方法,以醋酸锶、钛酸四丁酯为前驱体,乙酰丙酮为螯合剂,乙二醇甲醚为溶剂,乙酸为助溶剂和催化剂制备溶胶,用旋涂法在......
以Sr（OOCCH3）2· H2O,Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方......
研究了一种新型高效制备多组分陶瓷薄膜的方法，它采用可溶性无机盐溶液雾化为反应膜，利用微波等离子体化学气相沉积工艺在Al2O3基片......
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3／Ta2O5复合介电层，获得在500Hz下介电常数为48～73，反映介电损耗的参数△......
在Si（111）基片上采用脉冲激光沉积（PLD）方法,烘烤温度300℃,制备得到非晶态SrTiO3薄膜。采用快速晶化处理,将非晶态SrTiO3薄膜在不同温......
利用背激发检测光声技术测量了8个不同厚度SrTiO3薄膜的热扩散率，研究光声信号的幅值、相位及薄膜热扩散率随膜厚的变化规律发现，随......
在超高真空下利用激光分子束外延(LMBE)方法基于SrTiO3(100)单晶基片同质外延SrTiO3薄膜.通过反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过......
采用水热法技术于250℃条件下直接在金属钛片上制备了钙钛矿结构的SrTiO3晶态薄膜，讨论了温度对薄膜形成的影响．采用X射线衍射(XRD)......
对比研究了MgO和LaAlO3（LAO）单晶基片上采用脉冲激光法生长的SrTiO3（STO）薄膜的微观结构和介电性能，通过XRD，AFM和制备又指电容测量的方......
纳米SrTiO3具有很广泛的用途,其电泳沉积工艺低成本、易操作,可广泛应用于实验室研究。该文从粉体浓度、碘浓度、沉积电压、沉积时......
用激光脉冲沉积技术(PLD),以N型(100)Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜,分别用常规退火(CFA),快速退火(RTA)以及激光诱导晶......
近年来,由于电子器件的微型化和高集成度,功能陶瓷薄膜的制备越来越受到重视。电路当中的大电流现象例如浪涌电压常常导致器件产生......
阻变存储(RRAM)以其在存储密度和存储速度上的独特优势,被认为是颇具潜力的下一代非易失性存储技术。然而阻变的微观机制一直不明......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在MgO/TiN/Si（100）衬底上,生长不同In掺杂量的SrInxTi1-xO3（x=0、0.1、0.2）薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO3（STO）缓......
