TFT特性相关论文
本文重点研究了降解型光控取向技术的制作工艺及其对产品性能的影响。通过分析不同光配向工艺参数下配向膜各向异性的数值可知,随......
对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程......
Full-in-cell（FIC）产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构,使用Reactive Ion Etching（RIE）模式干法刻蚀设备进行N＋Etch时,氯的化合物会吸附......
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx：H和a-Si：H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx：H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研......
为了对TFT-LCD中的闪烁不良进行改善,本文通过研究TFT-LCD中干法刻蚀(Nplus Etch)对TFT特性的影响,以此对刻蚀条件(Power、Gas)进......
造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷......
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,......
对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程......
在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化......
通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对......
