栅极绝缘层相关论文
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化，设定4个实验条件，考察了不同条件下膜层的均匀性，TFT产品的开路......
随着显示技术的发展,显示面板对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的性能要求日渐提高。在TFT中,栅极绝缘层具有举足轻重的地......
自从1947年半导体晶体管发明以来,半导体集成电路产业发展迅猛,氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)形成了我们现在主流的Si-TFT技术......
为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:HTFT)的场效应电子迁移率,研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层制备......
在TFT小型化趋势下,需要进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管的TFT特性,尤其是开态电流特性。本文结合生产实际,阐述了工艺上改善氢化......
通过对低速沉积的栅极绝缘层(GL层)和低速沉积的有源层(AL层)的薄膜沉积条件进行了优化,分析了沉积AL层的功率,间距等条件的变更对......
