单片微波集成电路相关论文
提出了一种毫米波Doherty放大器一体化匹配网络的设计方法。该匹配网络将功率合成、阻抗变换和相位调节功能一体化，结合兰格耦合器，......
采用超薄TEM分析技术，解决了15 nm以下厚度的MMIC多功能芯片金属薄膜的分析瓶颈问题。首先，对一款多功能芯片源漏制作工艺中源漏金属......
本文提出了一种32～40 GHz高耐功率砷化镓（Gallium Arsenide, GaAs） PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路（Monolithic Microwave......
在过去的十年里,无线技术在航天、医疗、环境监测、自动化、农业等领域不断发展,造福于社会。随着无线通信技术的飞速发展,通信设......
振荡器的基本电路由维持放大器和反馈网络组成,其中维持放大器引入的相位噪声对振荡器输出信号的相位噪声贡献很大。随着微波技术......
随着通信技术的发展,民用及军用通信系统都对微波射频器件性能提出了更高的要求,功率器件作为系统的核心一直是研究热点。如今功率......
提出了一种毫米波Doherty放大器负载调制网络结构及优化设计方法。该方法在改善传统方案调制不充分的同时,去除影响工作带宽的四分......
基于单片微波集成电路（MMIC）技术的射频前端收发组件大量应用于无线通信、雷达等系统中。收发开关是射频前端的重要组成部分,其性能......
目前移动通信系统中射频信号的峰均比变的越来越高,传统的单管功率放大器已经无法对这种复杂调制信号进行高效放大。为此,一系列由......
报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺的8～12 GHz高效率负载调制平衡放大器（Load-modulated balanced amplifier,LMBA）。高峰均比信号......
单片微波集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuits,MMIC）是在同一块半导体基片上的集成多组模块的微波电路,功能可以涵盖......
小型化、超宽带、高性能的移相器一直以来备受关注,随着国际形势白热化,发达国家对中国提出了一系列核心技术禁运政策,高端射频芯......
毫米波具有波长短、频带宽和波束窄等优势,可大幅提高雷达的探测精度和通信的数据容量,提供更多互不干扰的通道。此外,毫米波频段（3......
功率放大器是Ka频段通信系统，特别是卫星通信系统中的重要器件。本文介绍了MMIC(单片微波集成电路)器件工艺。综述了近年来国内外对......
在卫星广播、移动通信系统以及光通信系统中,微波滤波器和耦合器扮演着十分重要的角色。随着单片微波集成电路的宽带化发展,特别是......
汽车雷达的研制已有四十余年的历史，但由于器件水平和设备结构太复杂等原因导致其成本高、体积大，研究成果一直未能市场化。近年来，随......
提出了基于GaAs微波单片集成(MMIC)的W波段高输出功率放大器模块.该模块包括MMIC功率放大器(PA)和波导-微带转换结构.采用功率合成......
手机功率放大器(PA)通常有3种实现方式:分立晶体管电路、单片微波集成电路(MMIC)和功率放大器模块(PAM).分立电路是最古老也最便宜......
研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In......
采用六级VMMK-2503高线性度增益方块级联,插入增益均衡与带通滤波模块,设计了一款小型化线性射频放大器,在5.8～8 GHz频带内,其小信......
为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大......
针对微波集成电路／单片微波集成电路中不连续性的导波结构，系统地综述了一种提取高次模的方法。该方法基于时域有限差分（FDTD）法的麦克......
鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50 nm及50 nm以下规则等诸多优点,......
文中根据时分双工无线收发信机的框图介绍了放大器、昆频器、衰减器和开关等MMIC器件在射频设计中的应用,着重介绍了MMIC放大器,在......
从晶体管器件模型出发，对两种常用的LNA电路结构进行了分析，提出了一种60GHz LNA电路结构。该电路使用级间电感匹配的方式，可以有效地......
从微波网络理论入手，依次分析了微波窄带增益均衡器和微波宽带增益均衡器的拓扑结构和基本理论。通过两个微波电路的实例，分别采用增......
采用磁控溅射生长磁膜工艺，结合BCB（苯并环丁烯）平坦化技术，首次制作了“金属线圈／磁膜／金属线圈（M／F／M）”和“磁膜／金属线圈／磁膜／金属线圈（F／M／F／M......
以几种典型的毫米波波段微机械传输线结构为研究对象,讨论了近几年的最新研究成果,包括微带、带状线、开放和封闭的共面波导.微机......
本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,......
介绍了某雷达系统中发射上变频器的设计思想及原理框图，并着重论述了混频器的设计及放大电路部分的几种设计方法。......
介绍了一种由商用InGaP／GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器，此电路定位于5GHz频段下的无线应用．在实际使......
提出了一种新型的微带-波导转换器,利用锥形天线实现其传输的超宽带和端射特性.将单片微波集成电路(MMIC)兼容的天线插入到矩形波......
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺......
该文开展了混合位积分方程（MPIE）的空域矩量法（MoM）对单片微波集成电路（MMIC）及阵列天线的全波分析，并采用了共轭梯度快速傅里叶变换（CGFFT......
介绍了一种基于单片微波集成电路技术的非大气窗口的微小型探测系统,从其组成结构及工作原理出发,简要分析了各个功能子电路,重点......
介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT......
基于SiC衬底的0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一款X~Ku波段宽带1W驱动放大器单片微波集成电路。设计使用了一种有源器件的大信号输出......
采用0．5μmGaNHEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路（MMm），描述了移相器的设计过程，并进行了版图电磁仿真。该移相器采......
基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的28 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用Ga N HEMT器件结......
微波单片集成电路(Microwave Monolithic Integrated Circuit,MMIC)以其体积小型紧凑、一致性好、可靠性高、成品率高、适用于批量......
本文给出了一种毫米波段下变频SOC(System on Chip)的设计方法。该款芯片实现了对低噪声放大器与电阻型混频器单片集成,芯片尺寸2.......
基于GaAs p HEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路。根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输......
W波段的频段范围为75-110GHz,常用于现代军事领域,很多卫星和雷达工作于该频段。而功率放大器作为电子系统中最基础的组成部分之一......
本文针对毫米波收发前端的关键功能电路,包括W波段单刀双掷开关、六次倍频、低噪声放大以及功率放大等电路,开展了电路中关键器件......
文章叙述了实现雷达接收机立体微波集成电路的基板及焊接工艺,研制了一种针对多通道雷达接收机的接收集成电路.提出了芯片电路设计......
分析了谐波控制理论提高功放效率的原理。对南京电子器件研究所的GaN HEMT器件进行了负载牵引测试。根据测试结果发现,通过谐波控......
