低氧化物相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

低氧化物相关论文

n阱CMOS与n型表沟CCD兼容的集成电路工艺

本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。 This article descr......

期刊

集成电路工艺 CCD 采样频率工作电压离子注入技术阈值电压低氧化物硅衬底表面浓度结热

对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究

对不同的Ｏ，Ｃｅ束流比条件下用离子束外延方法生长的氧化铈／硅薄膜在热处理前和干氧气氛中经不同温度热退火后进行俄歇电子能谱深度剖析测......

期刊

离子束外延 IBE 化学配比外延层双晶衍射低价氧化物 AES 外延膜低氧化物硅器件氧化铈初步研究

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