光整流效应相关论文
太赫兹波是介于红外与微波之间的电磁波,处于光子学与电子学的交叉波段。近二十年来,随着光电子学、材料科学的发展,对于太赫兹波......
硅、锗MOS结构是硅基和锗基半导体器件的基本结构单元,作为集成电路基本器件单元的MOSFET和CMOS中的栅区就是典型的MOS结构。MOS结......
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°......
THz波因其优良的特性,在天文学、通信、生物检测、安检等领域有着广泛的应用前景。受限于THz辐射功率低,目前THz波技术应用还未能......
学位
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与、晶向对比,当晶体方位角为0°或180°时,利用晶向ZnTe......
从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子．声子相互作用时Morse量子阱的......
考虑了由于压电与自发极化引起的强内电场效应，基于密度矩阵与久期处理方法，理论考察了纤锌矿氮化物半导体耦合量子阱体系的非线性光......
本论文在已有手性分子经典模型的基础上,研究了手性分子介质的光整流效应。从理论上得出通过选择适当的手性分子的微观参量和入射......
理论上研究并论证了飞秒激光在非周期性极化畴反转的铌酸锂晶体（LN）中由光整流效应产生任意频率、窄带的太赫兹（THz）波辐射的可行性.为......
本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了Poeschl-Teller势阱中的光整流系数解析表达式，考虑到在Poeschl-Teller势阱中存在两个可......
用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了......
通过观测Si／Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系，发现了光生电压的各向异性规律，即光敏面不同点处光......
基于飞秒激光激励闪锌矿晶体的太赫兹源实现方法较为简单，已有研究证明发射效率与晶体晶向选择，飞秒激光入射角以及偏振态相关，文章通......
硅和锗都是第一代半导体材料,在微电子学和光电子技术领域获得了重要应用。特别是硅材料,由于其价格低廉,工艺成熟,利于集成,在1.3......
非线性光学是现代光学领域十分重要的一个分支,它是自激光出现以后而发展起来的一门重要学科.随着研究的日趋成熟,非线性光学在光......
本论文主要内容是对硅材料(100)和(110)晶面表层的场致二阶非线性光学效应的研究,重点是对场致线性电光效应和场致光整流效应的研......
