光电化学刻蚀相关论文
GaN相比其他半导体材料主要的优势在于较大的禁带宽度以及更高的电子迁移率和饱和速率,使得其在电力电子领域具有广阔的应用前景。......
第三代半导体材料氮化镓(gallium nitrogen,GaN)已被广泛应用于电子和光电子等诸多领域。然而GaN的化学性质极端惰性,这使得传统的......
草酸广泛存在于自然界的植物、动物和微生物中，并且通过食物进入人体。如果人体草酸含量过高会引发结石疾病的发生，通过检测食物或者......
宽禁带（3.4 eV）的氮化镓（Gallium nitride,GaN）被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统......
Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀和光电化学（PEC）刻蚀等半导体工艺技......
高深宽比微纳结构目前在生物传感器、三维微型电池、光子晶体、三维集成电路金属互连等领域中展现出巨大的潜在应用价值。例如,基......
硅微通道阵列因其具有特殊性结构而在很多方面诸如硅微通道板、微型化工仪器、微型生物芯片、微全分析仪等发挥其重要作用。近年来......
