高耐压相关论文
GaN相比其他半导体材料主要的优势在于较大的禁带宽度以及更高的电子迁移率和饱和速率,使得其在电力电子领域具有广阔的应用前景。......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
GaN基HEMT器件是当前最受关注的电力电子器件之一,具有非常广泛的应用前景。为了不断提高HEMT器件在电源开关领域的的工作性能,需......
为了适应电力电子和电源管理等电路系统日益增长的功率密度、工作频率、高温适应能力、开关速度和电压应用范围需求,具有高耐压、......
设计实现了一款高耐压单刀单掷天线调谐开关,用于Sub-6 GHz的天线孔径调谐、阻抗调谐以及宽带开关。设计采用串-并联和体区自适应......
在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压......
在不超过10年的发展时间里,超级电容器已经很成熟了,这种可以贮藏高电荷能量的电化学器件从最初只为直流应用（例如,微波炉或VCR中的......
日本铁路研究提出通过改变受电弓的刚性提高追随性能的方法。为此，制作了采用空气弹簧的可变刚性弹簧2种试品，试品1研究提高耐压并扩......
本文主要从现有热电偶的研究，阐述了现阶段深低温热电偶产品存在一些方面的不足，为了满足现阶段深低温测量工程的发展，提出了一种具有......
提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进......
VF202是深圳矽谷电子系统有限公司生产的高亮度真空荧光显示屏(VFD)驱动芯片,该芯片具有40个高耐压的输出端口,采用串行接口,可单......
太阳诱电株式会社推出最高使用温度高达85℃的圆筒型锂离子电容器LIC1235R3R8406、LIC1840R3R8107和LIC2540R3R8207。这些器件是具......
JHX-121F继电器具有体积小、重量轻、功耗低、灵敏度高、高耐压、高绝缘、大负载、耐振动冲击、体积性价比高、极化、塑封等特点。......
采用中芯国际0.18μmCMOS集成电路工艺,设计了一种内嵌于数字信号处理器芯片的高耐压增强型控制器局域网驱动器。基于控制器局域网......
文章介绍一种低高度高耐压中功率继电器的磁路系统、驱动系统、接触系统的潜在失效模式分析及优化设计,并对工艺难点及材料选用进......
开发了一种PI型铝基板,由于PI的优异特性,使其作为主要绝缘层的铝基板具有低热阻、高耐压、优良的空间挠折特性。......
本文介绍一种太赫兹行波管用高耐压小型化电子枪绝缘体的设计方法,使用CST软件对电子枪电场分布进行计算,优化绝缘体结构尺寸,使最......
介绍电力半导体器件在大容量、高性能方面的现状和展望。实现器件大容量、高耐压的主要技术是:采用大直径的高纯硅单晶;在工艺技术......
随着通信技术的快速发展,单一频段的通信系统已经无法满足现代通信的需求。通信设备的小型化和集成化要求通信系统能够独立对多个......
主要研究晶体管中浮空场环的技术原理和设计优化及其在实际应用中对晶体管耐压性能的影响。在实际产品版图设计中采用了浮空场环设......
