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该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气......
实现半导体光子集成(PIC)和光电子集成(OEIC)的关键问题是工艺上如何采用简单可靠的方法,在同一衬底上制成具有不同禁带宽度的光电......
光子集成(PIC)及光电集成(OEIC)器件的制备中，量子阱混合技术(QWI)，作为一种十分有效的单片集成工艺手段，以其工艺简单、又能有效地调......
研究了氖离子注入诱导 In Ga As/In P量子阱材料带隙变化的规律 .研究结果表明 ,由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移 .蓝移的大小与量......
为在新型太阳能电池等光电器件中应用ZnO纳米结构,需要对ZnO纳米结构阵列的几何形貌及光电物理性质进行裁剪与操控。采用电化学沉......
