区熔法相关论文
多晶硅是电子信息产业和光伏新能源产业的基石。使用改良西门子法生产的多晶硅产量约占全球多晶硅总产量的80%。改良西门子法又称......
悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,高频线嘲产生的电磁场能量分布直接影响着硅单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔硅......
采用改进的区熔法和粘结法制备了PrTbDyFe棒材,并对棒材的磁致伸缩进行了研究.利用石英管作为熔体的载体对区熔法进行了改进,并采......
本文对区熔法进行改进,通过调节石英管的直径,装入石英管块材的大小及区熔工艺参数,制备出主要以〈110〉取向的PrTbDyFe棒材.......
近年来有机非线性光学材料的合成研究有了很大的发展。另一方面,为了适应非线性光学应用的特殊需要,即对分子有序取向和对材料具......
采用Ｔｅ作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ２０ＭＣＴ晶体的生长研究；详细阐述了该方法ＭＣＴ晶体的生长过程和生长机理；总结和分析了晶体生长过程中影......
以超高纯Ｔｅ 和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ 为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶．改进的ＰＶＴ 有效地抑制了生长安瓶封装时产生的......
引言在X射线分析工作中,往往需要标样,用以调整仪器和校正角度。因为硅具有纯度高,化学性能稳定,易获得,且有一般衍射强度背底低,......
第二章电一温差换热器件的制造及其成品的选用方法目前,国内外最常用的半导体热电材料是碲化铋的固熔体合金,用这种材料制造电—......
本文论述了二极管PN结成形用点触金丝的质量要求及研制过程。同时,还针对用户在该材料使用过程中,须进行人工缠绕、清洗、退火等复......
氧化物共晶陶瓷具有高熔点、优异的高温抗氧化性、抗腐蚀性和较高的强度，被认为是潜在的高温结构材料，在航空航天领域超高温结构......
用电子束区熔法制备ＬａＢ_６─ＺｒＢ_２共晶自生复合材料陈昌明，周万城，张军，张立同共晶自生复合材料因具有良好的发射性能、很好的室温韧性和强度而......
本文概述 Si—LiX 射线探测器用优质悬浮区熔硅单晶的研制,着重叙述如何降低区熔硅单晶中的氧含量的试验。探索出降低区熔硅单品氧......
在 Ag 基带上非平衡凝固熔敷超导厚膜,用激光区熔法制备组织致密、有明显织构取向、与基材结合牢固的柔性 Bi 系超导复合带材。研......
晶体的非小晶面(nf),小晶面(f)形成规律是结晶学研究领域的重要内容.由于结晶机制直接影响着材料的组织性能,因此能否实现小晶面生......
区熔法生长大磁致伸缩晶体Ｔｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２郭懋端蒋耀亮杜三庆王旭洪祝向荣（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＭａｇｎｅｔｏｓｔｉｃｔｉｖｅＣｒｙｓｔａｌＴｂ０．３Ｄｙ０．７Ｆｅ２ｂｙＺｏｎｅＭｅｌｔｉｎｇＴｅｃｈｎｉ...
Growth of Magnetostictive Crystal......
大尺寸（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．９０（Ｓｂ２Ｔｅ３）０．０５（Ｓｂ２Ｓｅ３）０．０５晶体的生长及性能荣剑英赵洪安吕长荣段福莲李将录董兴才赵秀平（哈尔滨师范大学物理系，哈尔滨１５００８０）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅ（Ｂｉ２Ｔ.........
本文采用石英管作为熔体的载体对区熔法进行了改进 ,并采用这种改进的区熔法制备出 取向的Pr0 .1 5Tb0 .3Dy0 .55Fe1 .8棒材 ,沿棒......
本文是以半导体工业中所使用的“硅”作为对象,在介绍硅的最近制造技术的进步以前,打算不涉及有关用电炉等把硅石还原成“金属硅......
一、前言利用现有的氢还原氯化硅的标准方法来生产多晶硅需要大量的电能。而且生产成本随着电能费用的增加而增加。为了降低生产......
河北半导体研究所使用本所设计的高压单晶炉,采用炉内合成的液封直拉技术,于1980年初成功地制备出锭重500g质量良好的InP单晶(如......
磷化铟是微波通讯向毫米波段发展的新型化合物半导体材料,磷化铟双异质结激光器是目前光纤维通讯极有希望的光源。为供有关单位用......
前言用 Te 作溶剂制备碲镉汞(以下简称 MCT)品体的方法是一种改进的垂直区熔法。利用这种方法制备 MCT 晶体的晶体生长中包括有:......
本文共分六节。〈一〉前言:硅单晶自五十年代开始研制和生产以来,已有三十年的历史了。单晶直径从≤1英吋,逐渐增大到4—5英吋。......
本文介绍了区熔硅单晶掺磷的多级芯掺杂工艺流程及计算依据。实践表明,该方法是行之有效的。
This paper introduces the multi-l......
集成电路是目前发展最快的领域,对今后科学技术的发展起着重要的作用。当前集成电路是用硅片制成的,因此硅的质量是研究的重大课......
研究出一种制备高纯度锑化铟晶体的新方法。全部工艺过程,包括化合物的合成和区熔的各个程序,都是在用扩散泵系统或离子泵系统抽成......
关于改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺报告,共分三篇,即:《小内径加热线圈的提出》、《加热线圈内径计算公式的原理和推导......
目前很多无位错硅单晶经过Sirtl腐蚀剂或改良的Sirtl腐蚀剂腐蚀后,在横断面上可看见呈漩涡状分布的浅底蚀坑。所谓硅单晶中微缺陷......
一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直......
自七十年代以来,电子工业的发展异常迅速,这与其主要的基础材料—半导体硅单晶制备技术的日益提高紧密相关。当前,硅单晶产量的四......
已经发展了一种200元的Hg_(0.8) Cd_(0.2) Te光导列阵,列阵具有均匀的探测率。在77K,视场角(FOV)为50°时,D~*(12μm,1000,1)的平......
本文采用正籽晶、平置小内径线圈工艺成功地制备了φ76.2mmFZ〈100〉晶向单晶硅,研究了单晶生长机理与工艺。产品纯度高、质量好,......
The equilibrium distribution coefficients of 12 impurities (As,Fe,Ca,Co,Al,Cr,Cu,Mg,Mn,Ni,Pb,Zn) in phosphorus were obta......
利用反应堆对单晶硅进行中子辐照,实现单晶硅掺磷是七十年代发展起来的一项新的掺杂工艺,称为中子嬗变掺杂(简称NTD)。用NTD硅来......
采用光学加热区熔法制备了目标成分为Fe72.5Ga27.5的Fe3Ga合金取向晶体,对Fe72.5Ga27.5合金分别进行了1100℃保温4 h和1100℃保温1......
本文对区熔法进行改进,通过调节石英管的直径,装入石英管块材的大小及区熔工艺参数,制备出主要以〈110〉取向的PrTbDyFe棒材.......
该文介绍了利用区熔法生长P型PbTe晶体（掺Ag或Na）。对生长样品的热电特性进行了测量，并结合实际数据进行了分析。实验表明，掺Na的pbTe......
本文对含轻稀土磁致伸缩材料及MnBiAl薄膜的制备及性能进行了研究。 鉴于稀土化合物凝固结晶的特点，对区熔法进行了改进，将电弧炉......
本论文利用区熔法制备相应的晶体材料，系统研究了固溶体组分和掺杂量对载流子和声子传导特性的影响，实现了化学组成的优化。 ......
