磷硅玻璃相关论文
利用二氧化硅及磷硅玻璃溶于氢氟酸溶液,而单晶硅不溶的特点将其分离。然后使磷酸与钼酸铵生成磷钼杂多酸,大量硅用酒石酸钾钠及......
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率......
半导体器件及集成电路的可靠性,很大程度地依赖于半导体表面的纯化技术。因此,自晶体管发明以来,在半导体器件制造领域,为达到器......
一、问题的提出 随着半导体器件向着小尺寸,高集成度方向发展,许多新的工艺技术比如电子束曝光、ⅹ-射线曝光、离子注入、射频溅......
本研究工作制备了四种新型的质子导电膜,包括:Nafion/磷硅玻璃质子导电玻璃膜、离子液体/多孔SiO2质子导电玻璃膜、PEI-PCFG/磷硅......
研究了HDP-CVD PSG薄膜在栅极周围类似“花朵”状的磷含量分布的机理.实验结果表明,“花朵”状的磷含量分布是HDP-CVD反应腔中Bias......
期刊
针对非制冷红外热成像中的双材料硅微悬臂梁阵列的结构要求，在MEMS常见加工工艺的基础上，提出了单个硅微悬臂梁的制作工艺路线。工艺......
运用高选择比的特别配方来释放MEMS可变电容制作工艺中的牺牲层，以保护上级板金属铝层．同时很好地释放牺牲层磷硅玻璃。探讨了上级板......
在MEMS常见加工工艺的基础上，提出了单个硅微悬臂梁的制作工艺路线。探讨了双层材料氮化硅和铝之间的断裂和氮化硅和硅基底之间的粘......
本文讨论了PSG钝化膜的结构特点，分析了PSG具有钝化作用的原因；并把PSG与SiO2进行比较，证明了PSG的优越性。介绍了三种PSG制造工艺，并......
首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程，然后以多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）为例研究了动态吸杂技术......
本文第一部份综述有关文献并评价各类二氧化硅和磷硅玻璃湿法化学腐蚀的化学原理、腐蚀机理和腐蚀工艺;第二部分讨论因腐蚀而引起......
<正>在CMOS集成电路中,时常发生断铝现象,特别是硅栅MOS集成电路,由于采用多晶硅—铝的多层结构,用低温淀积SiO2膜作为硅—铝间的......
<正> 美帝飞歌公司把磷硅玻璃钝化工艺应用于 MOS 器件。不仅在金属化区,而且在整个片子的表面复盖一层磷硅玻璃,获得了可靠性很高......
<正> 在硅上热生长SiO2膜的碱离子沾污是半导体工艺中的一个严重问题。用来解决这个问题比较见效的方法是在栅极介质上或者在钝化......
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常压化学汽相淀积(APCVD)硼/磷硅玻璃膜(BPSG)已经确定了最佳条件,能更有效地利用反应剂,得到颗粒杂质比以前少得多的玻璃膜。这些......
在研制和生产硅栅MOS型（NMOS和CMOS）LSI时,用化学汽相沉积的硼磷硅玻璃（CVD BPSG）膜取代常规的磷硅玻璃（PSG）膜作回流介质层,可将回流温......
扩散源是半导体器件生产制造的掺杂工艺中一种必不可少的微电子化学品。根据不同的掺杂工艺所使用的掺杂源有所不同,掺杂工艺主要......
在集成电路的制造中，PSG薄膜可以有效的捕捉可移动的金属离子，且具有低的介电常数等优点，被广泛地应用在PMD制程中，作为金属沉积前的介......
