响应波长相关论文
该文报道了Ｓｉ〈，０．７〉Ｇｅ〈，０．３〉／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ光电探测器的研制结果，反向偏压为４Ｖ时的暗电流密度为５０ｐＡ／μｍ〈’２〉，量子效率在峰值０．９５μｍ处为２０℅，响应波长扩展到１．３μｍ以......
以钨酸钠为原料用阳离子树脂交换法制得钨酸，分别对钨酸采用水热法、阳极铝模板法（AAO）、超声空化-离心法、微波辐射回流法制备系列WO......
发射率是反映物体表面热特性的一个很重要的参数,在研究高低发射率红外涂层材料、飞机蒙皮、船舰隐身等方面都发挥了极大的作用。......
在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N／AIN／n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au......
本文介绍了测量不同偏置功率下响应波长在16.5微米甚长波大面积(2.0×2.0mm)HgCdTe光导探测器光谱响应截止波长,并利用HgCdTe晶体......
ＧａＡｓ／Ａ１ＧａＡｓ多量子阱红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器，该文对ＧａＡｓ／Ａ１ＧａＡｓ多量子阱材料及器件的基本原理作了介绍，并报导了十二元线列器件的性能......
该文将介绍了３２×３２元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成象演示。该器件采用ＭＢＥ碲镉汞薄膜材料、全平面离子注入成结工艺、......
该文报道了Ｓｉ〈，０．７〉Ｇｅ〈，０．３〉／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ光电探测器的研制结果，反向偏压为４Ｖ时的暗电流密度为５０ｐＡ／μｍ〈’２〉，量子效率在峰值０．９５μｍ处为２０℅，响应波长扩展到１．３μｍ以......
在辐射温度计响应波长一定情况下,主要通过计算环境辐射对黑体辐射温度、发射率不为1辐射温度计的修正值,分析和讨论了在计量检定......
在环境温度一定情况下,主要通过计算黑体辐射源发射率、辐射温度计发射率设定分别对特定响应波长辐射温度计测量结果修正值的大小,......
<正> (专利申请号:00135189.3; 申请人:上海技物所) 本发明提供一种用于预测由GaAs/AlGaAs量子阱材料形成的红外探测器响应波长的......
给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程.对制得的样管进行了典型光电参数的测试.测试结果表明,探测器的......
